[发明专利]用于具有两个活性表面的光电池的改良触点

权利要求书

1.用于制造双面光电池的方法，所述双面光电池具有两个相反的活性表面，该方法包括：

-通过共用电解槽中的电解作用，在每个活性表面上沉积至少一个电触点，

所述共用电解槽包括：

-第一隔室，用于在电池的第一活性表面上沉积金属层，以用于包含第一活性表面上的金属层的触点的制造，以及

-第二隔室，用于通过氧化作用在电池的第二活性表面上沉积金属氧化物导体层，以用于包含第二活性表面上的金属氧化物层的触点的制造。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述金属氧化物层中的金属是Mn、Ni、Mo、Cd、Sn、In、Zn、Pb、Ag、Cu、W、Ta、Ga、Fe、Co、Cr和Ti中的至少一种元素。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积期间：

-第一隔室中产生电子，与第一活性表面相对，用于增强金属层的沉积，以及

-第二隔室中产生空穴，与第二活性表面相对，用于增强由金属氧化物层的氧化作用所形成的沉积。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过由电解槽所包含的离子交换膜隔开所述第一隔室和第二隔室。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过第一活性表面和第二活性表面中的至少一个表面的照明来促进以下沉积：

-第一活性表面上的金属层的沉积，以及

-第二活性表面上的金属氧化物层的沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过应用特定用于在第一活性表面上至少产生负电荷的电位差来促进沉积操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过应用特定用于在第二活性表面上产生正电荷的电位差来促进沉积操作。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光电池是n⁺型第一活性表面和p⁺型第二活性表面的双面同质结。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光电池是硅基电池。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一活性表面上的金属层是镍基层，以及以通过电解作用将至少包含铜的层沉积到金属层上的方式，继续在第一活性表面上沉积电触点的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以通过电解作用将至少包含铜的层沉积到金属氧化物层上的方式，继续在第二活性表面上沉积电触点的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻沉积在每个活性表面上的至少一个电绝缘层先于沉积触点，所述蚀刻暴露出通过电解作用实施沉积操作的区域中的每个活性表面。

13.一种双面光电池，所述双面光电池具有两个相反的活性表面，所述电池包括每个活性表面上的至少一个电触点，其特征在于，第一活性表面的触点包括沉积在第一活性表面上的金属层，而第二活性表面的触点包括沉积在第二活性表面上的金属氧化物导电层，所述金属层和所述金属氧化物导电层根据权利要求1所述的方法通过共用电解槽中的电解作用各自沉积在所述第一活性表面和所述第二活性表面上。

14.根据权利要求13所述的电池，其特征在于，所述电池包含n⁺型第一活性表面和p⁺型第二活性表面的同质结。