[发明专利]CMP垫修整组合件有效
| 申请号: | 201780066284.6 | 申请日: | 2017-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN109922924B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | P·多林;A·加尔平;R·蒂瓦里 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017;B24D7/08;B24D7/10;B24B53/12;B24D7/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 顾晨昕 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cmp 修整 组合 | ||
1.一种CMP垫修整组合件,其包括:
背衬板,其具有第一面及第二面,所述背衬板包含所述第二面上的安装结构;所述安装结构将所述背衬板紧固到化学机械平坦化工具;
一或多个研磨区,其在包括一或多个突部的所述背衬板的所述第一面上,所述突部的顶部驻存于具有从所述背衬板的所述第一面测量的第一平均高度的第一平面中;
单支撑结构,其在所述背衬板的所述第一面上且至少部分覆盖所述背衬板的中心区,所述单支撑结构包括经定位于所述研磨区之间且与所述研磨区分离的多个支撑区,所述单支撑结构具有顶部表面,所述单支撑结构的所述顶部表面驻存于具有从所述背衬板的所述第一面测量的第二平均高度的第二平面中,其中所述第一平面的所述第一平均高度大于所述第二平面的所述第二平均高度;及
一或多个通道,其经定位于所述单支撑结构的一或多个支撑区以及所述一或多个研磨区之间,所述一或多个通道具有一长度,所述一或多个通道经配置以允许CMP垫残渣或液体沿其长度流动远离所述CMP垫修整组合件。
2.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中所述单支撑结构的所述多个支撑区与所述一或多个研磨区形成所述一或多个通道。
3.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其进一步包括全部或部分所述研磨区上的硬多晶材料的涂层。
4.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中所述第一平面的所述第一平均高度比所述第二平面的所述第二平均高度大25微米至200微米之间。
5.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中所述第一平面的所述第一平均高度比所述第二平面的所述第二平均高度大50微米至100微米之间。
6.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中从所述单支撑结构的所述顶部表面测量的所述一或多个通道具有6500微米或更少的最大通道深度。
7.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中所述一或多个通道具有最大尺寸在1500微米与2500微米之间的通道宽度。
8.根据权利要求1所述的垫修整组合件,其中所述单支撑结构是聚合物材料。
9.根据权利要求2所述的垫修整组合件,其中所述研磨区包含突部或细长切割结构。
10.根据权利要求9所述的垫修整组合件,其中所述研磨区是固定到所述背衬板的一或多个区段。
11.根据权利要求10所述的垫修整组合件,其进一步包括在所述研磨区的顶部上的硬材料涂层。
12.根据权利要求11所述的垫修整组合件,其中所述第一平面的所述第一平均高度比所述第二平面的所述第二平均高度大50微米至100微米之间。
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