[发明专利]双模式调节-去调节型人工晶状体

权利要求书

1.一种双模式调节-去调节型人工晶状体，包括：

襻系统，所述襻系统包括具有形状记忆的多个闭合回形襻；

形变式柔性光学部，所述形变式柔性光学部包括前光学部囊和后光学部囊，两个囊中的每个包括融合区且两个囊的融合区融合在一起，由此在两个囊之间限定光学部囊泡，所述光学部囊泡填充有流体，其中，(i)襻附连到光学部，允许襻的动作改变光学部的形状，(ii)形变式柔性光学部具有小于或等于8mm的直径，以及(iii)由于襻系统的形状记忆与柔性光学部的形变能力的至少其中之一，双模式调节-去调节型人工晶状体在静置时处于完全调节构造中；以及

限制部件，所述限制部件尺寸设计且构造成使襻以与所述完全调节构造相比时更平的角度和更大的直径的至少其中之一固定在调节-去调节型人工晶状体的去调节构造中。

2.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述闭合回形襻是梯形和T形的其中之一。

3.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，还包括：

光学环，

其中，所述光学环使襻彼此连接及连接到光学部。

4.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，通过每个襻的一部分在融合区处嵌装在光学部中，所述襻附连到所述光学部。

5.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，每个闭合回形襻构造成适于在调节-去调节型人工晶状体的去调节期间将由悬韧带张力产生的径向牵引传递到光学部。

6.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，每个闭合回形襻构造成适于返回到在调节-去调节型人工晶状体调节期间的设置形状。

7.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述限制部件从由如下构成的组选择：设置在襻或光学环上的限制突片、由襻部段限定的限制孔、由光学部在其融合区中限定的限制孔、襻臂上的横条、限制环和缝线；所述光学环使襻彼此连接及连接到光学部。

8.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，还包括环形板，所述环形板嵌装在光学部的前光学部囊与后光学部囊之间。

9.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述闭合回形襻中的每个包括第一连接特征，并且所述光学部包括适于与所述第一连接特征接合的第二连接特征。

10.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述闭合回形襻中的每个形状设置成有助于光学部的轴向移位和形状变化。

11.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述襻系统包括至少两个光学环，每个光学环包括两个闭合回形襻，所述光学环设置在光学部之上，且构造成旋转成使第一光学环的襻叠覆在相邻的光学环的襻之上，以缩小所述光学环的轮廓，从而方便双模式调节-去调节型人工晶状体加载在注射机中。

12.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，至少一个闭合回形襻包括径向部段和设置在径向部段上的桨叶部，所述桨叶部构造成压缩光学部的一部分。

13.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述光学部和所述襻系统的至少调节型记忆的总和或者所述光学部和所述襻系统的至少去调节型记忆的总和是小于1克力。

14.如权利要求1所述的双模式调节-去调节型人工晶状体，其中，所述前光学部囊和后光学部囊利用结合材料融合，并且融合区限定了被构造成接收过剩结合材料的通道。