[发明专利]具有相位可编程的增益级的低噪声放大器

权利要求书

1.一种射频放大器，包括：

公共输入节点；

公共输出节点；和

低噪声放大器，其以共源共栅配置实施在所述公共输入节点和所述公共输出节点之间，且其包括输入级和共源共栅级，所述输入级配置成在多个增益设定中的一个中进行操作，并在所述多个增益设定中的每一个对信号提供补偿相移，所述补偿相移选定为在所述多个增益设定中提供恒定的相位。

2.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述输入级包括一个或多个晶体管，每个所述晶体管具有栅极，用于接收所述信号；源极，其耦接到地；和漏极，其用于输出经放大的信号，使得所述晶体管包括有效输入电阻、有效输入电感L和有效栅-源电容Cgs。

3.根据权利要求2所述的射频放大器，其中，所述输入级包括多个以电并联配置方式实施的晶体管，每个晶体管具有Cgs值，使得不同的净Cgs值通过所述晶体管中的一个或多个的操作来获得，所述不同的净Cgs值提供不同的补偿相移。

4.根据权利要求3所述的射频放大器，其中，所述输入级还包括开关，其实施在每个晶体管的所述漏极处以控制所述晶体管的操作。

5.根据权利要求3所述的射频放大器，其中，所述晶体管的Cgs值至少部分地由所述晶体管的W/L大小来获得。

6.根据权利要求3所述的射频放大器，其中，所述多个晶体管配置成使得一个晶体管可在最低的增益设定中操作，并且附加的晶体管可针对每个增大的增益设定进行操作。

7.根据权利要求3所述的射频放大器，其中，至少一个晶体管的W/L大小确定成相当程度地不同于其他晶体管的W/L大小，以对由所述至少一个晶体管特定的增益设定导致的次级效应提供相位补偿。

8.根据权利要求7所述的射频放大器，其中，对所述至少一个晶体管特定的增益设定是最低增益设定，并且具有所述最低增益设定的所述晶体管的W/L大小相当程度地小于其它晶体管的W/L大小。

9.根据权利要求2所述射频放大器，其中，所述输入级的至少一个晶体管配置成使得它的有效输入电感L包括可变电感。

10.根据权利要求9所述射频放大器，其中，所述可变电感配置成包括一系列L值以获得在所述多个增益设定中的每个对所述信号的补偿相移。

11.根据权利要求2所述的射频放大器，其中，所述输入级的至少一个晶体管配置成包括位于栅极和源极之间的可变电容。

12.根据权利要求11所述的射频放大器，其中，所述可变电容配置成一系列Cgs值以获得在所述多个增益设定中的每个对所述信号的补偿相移。

13.一种具有射频电路的半导体晶片，包括：

衬底；和

低噪声放大器，其以共源共栅配置实施在公共输入节点和公共输出节点之间的所述衬底上，所述低噪声放大器包括输入级和共源共栅级，所述输入级配置成在多个增益设定中的一个中进行操作，并在所述多个增益设定中的每一个对信号提供补偿相移，所述补偿相移选定为在所述多个增益设定中提供恒定的相位。

14.根据权利要求13所述的半导体晶片，其中，所述衬底包括绝缘体上硅衬底。

15.一种射频模块，包括：

封装衬底，其配置成收纳多个部件；和

低噪声放大器，其以共源共栅配置实施在公共输入节点和公共输出节点之间的所述封装衬底上，所述低噪声放大器包括输入级和共源共栅级，所述输入级配置成在多个增益设定中的一个中进行操作，并在所述多个增益设定中的每个对信号提供补偿相移，所述补偿相移选定为在所述多个增益设定中提供恒定的相位。