[发明专利]制作非均匀衍射光栅

权利要求书

1.一种制造非均匀结构的方法，所述方法包括：

将不同密度的离子注入到基底的对应区域中以改变所述基底的所述对应区域的对应蚀刻敏感度；

图案化位于所述基底上的抗蚀剂层；然后

使用图案化的抗蚀剂层蚀刻所述基底，留下具有至少一个非均匀结构的所述基底，所述至少一个非均匀结构具有与注入到所述区域中的所述不同密度的离子相关的非均匀特性。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

从所述基底去除所述抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

使用具有所述非均匀结构的所述基底作为模具通过纳米压印光刻来制造对应的非均匀结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非均匀结构包括非均匀光栅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光栅包括二元光栅，所述二元光栅具有与所述不同密度的离子对应的非均匀深度。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述光栅包括闪耀光栅，所述闪耀光栅具有与所述不同密度的离子对应的非均匀深度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将不同密度的离子注入到基底的对应区域中包括：

沿第一方向将第一密度的离子注入到至少一个目标区域中；以及

沿着不同的第二方向将第二密度的离子注入到所述目标区域中，其中所述第一方向与所述第二方向之间的角度大于0度且小于180度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将不同密度的离子注入到所述基底的对应区域中包括：

沿着一方向在离子源与所述基底之间移动光闸，其中具有所述不同密度的离子的被注入的区域沿着所述方向。

9.根据权利要求8所述的方法，其中根据与所述不同密度对应的离子曝光分布来移动所述光闸。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述光闸是被配置为阻挡离子通过的固体面板。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述光闸限定多个通孔，所述多个通孔允许离子从所述离子源传播到所述基底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中移动所述光闸包括：

以第一速度将所述光闸移动穿过所述基底中的第一目标区域之上的第一位置，以允许离子穿过所述通孔到所述第一目标区域上；

以第二速度将所述光闸从所述第一位置移动到第二连续位置，所述第二连续位置位于所述基底中的第二目标区域之上，所述第二速度比所述第一速度快；以及

以所述第一速度将所述光闸移动穿过所述第二连续位置，以允许离子穿过所述通孔到所述第二目标区域上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中移动所述光闸包括：

将所述光闸移动到所述基底中的第一目标区域之上的第一位置；

在所述第一位置使所述光闸停止持续一时间段，以允许一定量的离子穿过所述通孔到所述第一目标区域上；然后

将所述光闸移动到所述基底中的第二目标区域之上的第二连续位置。

14.根据权利要求1所述的方法，其中将不同密度的离子注入到所述基底的对应区域中包括：

在离子源与所述基底之间放置光闸，所述光闸包括具有不同离子透射率的多个部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个部分包括多个膜，所述多个膜具有与所述不同离子透射率对应的不同厚度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中将不同密度的离子注入到所述基底的对应区域中包括：

使用聚焦离子束将所述不同密度的离子局部地注入到所述基底的所述对应区域中。