[发明专利]固化性粒状有机硅组合物、由其构成的半导体用部件及其成型方法

权利要求书

1.一种固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，含有：

(A)热熔性有机硅微粒100质量份，其软化点为30℃以上，且具有氢化硅烷化反应性基团和/或自由基反应性基团，（A）成分包含（A₁）树脂状有机聚硅氧烷、（A₂）将至少一种有机聚硅氧烷部分交联而成的有机聚硅氧烷交联物、（A₃）由树脂状有机硅氧烷嵌段和链状有机硅氧烷嵌段构成的嵌段共聚物或它们的至少两种的混合物；

(B)无机填料500~4000质量份；以及

(C)固化剂，

(A)成分和(B)成分各自作为微粒包含在所述固化性粒状有机硅组合物中；通过固化可形成25℃~200℃的范围内的平均线膨胀系数为30ppm/℃以下，

-50℃时的储能弹性模量G'_-50与250℃时的储能弹性模量G'₂₅₀的值之比：

G'_-50/G'₂₅₀在1/1~1/50的范围内的固化物。

2.根据权利要求1所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，（B）成分是不具有软化点或在低于所述（A）成分的软化点时不会发生软化的填料。

3.根据权利要求1或2所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，

（B）成分实质上是平均粒径为10.0µm以上的无机填料。

4.根据权利要求1或2所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，（B）成分是增强性填料、白色颜料、热传导性填料、导电性填料、荧光体、或它们中的至少两种的混合物。

5.根据权利要求1或2所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，（B）成分是平均粒径为10.0µm以上的球状无机填料。

6.根据权利要求1所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，

（A）成分是（A）成分中的硅原子键合有机基的10摩尔%以上为芳基，其平均一次粒径为1µm~10µm的圆球状有机硅微粒。

7.根据权利要求1或2所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，

通过固化而得到的固化物的线膨胀系数于20℃~300℃的范围的变化过程中不具有明显的拐点。

8.根据权利要求1或2所述的固化性粒状有机硅组合物，其特征在于，

固化性粒状有机硅组合物是颗粒状或片状。

9.一种固化物，其特征在于，

其使权利要求1至8中任一项所述的固化性粒状有机硅组合物固化而成。

10.一种用于半导体装置的部件，该部件包含权利要求9所述的固化物。

11.一种半导体装置，其特征在于，

具备权利要求9所述的固化物。

12.一种功率半导体装置，其特征在于，

具有半导体元件或半导体电路板被权利要求9所述的固化物包覆的构造。

13.一种固化物的成型方法，其特征在于，至少包含下述工序（I）至（III），

(I)将权利要求1至8中任一项所述的固化性粒状有机硅组合物加热至（A）成分的软化点以上而使其熔融的工序；

(II)将在所述工序（I）中得到的固化性有机硅组合物注入至模具的工序、或通过合模而使在所述工序（I）中得到的固化性有机硅组合物扩展至模具的工序；以及

(III)使在所述工序（II）中注入的固化性有机硅组合物固化的工序。