[发明专利]半导体发光元件和包含其的发光装置

说明书

本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的半导体发光元件等。该半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和各自单独地配置于特定位置的多个差异折射率区域。一对覆盖层的一层具有分布布拉格反射层，其具有对相对于光出射面的倾斜方向的特定光像的透过特性和对沿光出射面的法线方向输出的0次光的反射特性。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件和包含其的发光装置。

背景技术

专利文献1中记载的半导体发光元件包括：活性层；夹着活性层的一对覆盖层；和与活性层光学耦合的相位调制层。相位调制层包括：基本层；和分别具有与基本层的折射率不同折射率的多个差异折射率区域。在相位调制层上设定了正方形格子的情况下，差异折射率区域(主孔)分别以与正方形格子中的对应区域(具有正方形形状)的中心点(格子点)一致的方式配置。在该差异折射率区域的周围，设置有辅助的差异折射率区域(副孔)，从而能够出射规定的光束图案(beam pattern)的光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/136962号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

发明者对现有的半导体发光元件进行了研究，结果发现了如下所述的技术问题。即，研究了如下半导体发光元件：通过控制从排列成二维状的多个发光点出射的光的相位谱和强度谱而能够输出任意的光像。作为这样的半导体发光元件的一种构成，有如下构成：在半导体基板上设置下部覆盖层、活性层和上部覆盖层，并且在下部覆盖层与活性层之间或者活性层与上部覆盖层之间设置有相位调制层。相位调制层包括基本层和分别具有与基本层的折射率不同的折射率的多个差异折射率区域，在与相位调制层的厚度方向垂直的面内设定了假想的正方形格子的情况下，各构成该正方形格子的多个正方区域分配成的差异折射率区域的重心位置，偏离于与应生成的光像对应地分配成的正方区域的格子点位置。这样的半导体发光元件被称为S－iPM(Static-integrable Phase Modulating，静态可积分相位调制)激光元件，沿与半导体基板的主面垂直的方向(法线方向)和相对于该法线方向具有规定的扩散角的方向，输出用于形成二维的任意形状的光像的光束。

然而，从上述的半导体发光元件除了输出作为所希望的输出光像的信号光之外，还输出0次光。该0次光是在与半导体基板的主面垂直的方向(即与发光面垂直的方向)输出的光，在S－iPM激光器中通常不使用。因此，在获取所希望的输出光像时，0次光成为噪声光，因此希望从光像中除去0次光。

本发明是为了解决如上述那样的技术问题而完成的，其目的在于提供一种具有能够从S－iPM激光的输出光中除去0次光的结构的发光装置。

用于解决技术问题的技术手段