[发明专利]有机半导体组合物和由其获得的半导体层在审
| 申请号: | 201780049865.9 | 申请日: | 2017-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN109564975A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | M.芬诺尔;M.范贝弗伦 | 申请(专利权)人: | 索尔维公司 |
| 主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐晶;林毅斌 |
| 地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机半导体组合物 有机半导体 半导体层 三芳胺 稠合 芳环 | ||
本发明涉及一种组合物,该组合物包含至少一种晶体有机半导体和至少一种具有下式的三芳胺前提是Ar1、Ar2和Ar3中至少一个包含至少两个稠合的芳环。
本申请要求于2016年6月14日提交的欧洲申请号16174446.1的优先权,出于所有目的将所述申请的全部内容通过援引方式并入本申请。
本发明涉及一种有机半导体(OSC)组合物,以及其用于制造适用于制造有机电子装置的有机半导体层的用途,该组合物包含晶体半导体和三芳胺。
有机半导体层在有机电子学领域中一直是许多关注的对象。尤其当以低成本有机电子装置为目标时,人们需要廉价的材料、容易的方法和高节奏来生产装置。制造有机半导体薄层的方法可以涉及在真空下沉积或可以涉及溶液法,像油墨印刷。有机半导体组合物的液体涂覆总体上是优选的,相比于真空沉积技术。在半导体层中使用单独的晶体半导体如TIPS-并五苯可能需要剧烈条件和长的时间以促进方便结晶,这二者对高节奏制造都是不利的。此外,任何单独的晶体OSC的结晶是如此敏感的过程,以至于在制造过程中的微小变化可能损害再现性。
US 2009302310涉及三芳胺作为在包含在OFET的源极与漏极之间的有机半导体层中所含有的有机半导体材料的用途。在许多三芳胺之中,提到了N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-二苯基联苯-4,4’-二胺(NPD)。此外,US’310既没有披露也没有提出NPD与任何其他结晶的或无定形的有机半导体的缔合作用。
WO 2014/008971披露了包含有机半导体和有机粘合剂的半导体层的制造。目的是增强半导体层与用作OFET的介电层的聚对二甲苯的粘附性。WO'971的有机半导体配制品包含三芳胺小分子有机粘合剂(N4,N4'-二苯基-N4,N4'-二间-甲苯基联苯-4,4'-二胺(TPD))和晶体有机半导体(即溶解于环己基苯∶均三甲苯(80∶20)中的2,8-二氟-5,11-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)双噻吩蒽(DiF-TES-ADT))。在WO'971中,没有传授关于场效应迁移率测量的再现性,也没有传授关于偏压应力稳定性。
需要一种新的适用于制备具有可再现特性,特别是可再现高场效应迁移率的电子装置的半导体层的有机半导体组合物。
还需要一种具有高稳定性并且更特别地偏压应力稳定性的有机半导体层。
还需要一种适用于制备具有高场效应迁移率、低成本和容易加工的半导体层的有机半导体组合物。
以上描述的需求以及还有其他需求有利地通过一种组合物满足,该组合物包含至少一种晶体有机半导体和至少一种具有式1的三芳胺
其中
Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示任选地取代的芳基或任选地取代的杂芳基,
前提是Ar1、Ar2和Ar3中至少一个包含至少两个稠合的芳环或杂芳环。
衍生自包含至少一个芳环或杂芳环的化合物的芳基或杂芳基意指可以通过从该化合物的芳环或杂芳环中去除一个氢原子获得的芳基或杂芳基。例如,1-萘基可以通过去除萘的1位中的氢原子来获得。因此,在本发明的含义中,1-萘基是衍生自萘的芳基。类似地,5-喹啉基可以通过去除喹啉的5位中的氢原子来获得。因此,在本发明的含义中,5-喹啉基是衍生自喹啉的杂芳基。
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