[发明专利]光伏器件的生产方法有效
| 申请号: | 201780047320.4 | 申请日: | 2017-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN109564978B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
| 发明(设计)人: | 亨里克·林德斯特伦;乔瓦尼·菲利 | 申请(专利权)人: | 埃塞格运营公司 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 生产 方法 | ||
1.一种光伏器件的制造方法,其包括:
-通过在多孔绝缘基材(20)的一侧上沉积包含导电颗粒(24)的墨而形成多孔第一导电层(16),
-用掺杂半导体材料的晶粒(2)的层涂覆所述第一导电层以形成结构体,
-进行所述结构体的第一热处理以使所述导电颗粒(24)彼此接合并且将所述晶粒接合至所述第一导电层,
-在所述导电颗粒的表面的不与其它导电颗粒或所述晶粒物理接触的部分上形成电绝缘层,
-在所述多孔绝缘基材(20)的相对侧上形成第二导电层(18),
-将电荷导电材料(3)施加至所述晶粒的表面上、所述第一导电层的孔内部和所述绝缘基材的孔内部,和
-将所述电荷导电材料电连接至所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述晶粒(2)的平均尺寸在1μm与300μm之间。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述晶粒的层(6)为单层。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中通过将包含所述晶粒(2)的粉末的墨沉积在所述第一导电层上来涂覆所述第一导电层(16)。
5.根据权利要求4所述的方法,其中包含晶粒(2)的所述墨通过静电喷涂沉积在所述第一导电层(16)上。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述方法包括在进行所述结构体的第一热处理之前使所述晶粒(2)氧化,并且所述方法包括在将所述电荷导电材料(3)施加至所述晶粒的表面上之前,进行所述晶粒(2)的第二蚀刻。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述晶粒(2)由掺杂硅制成。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述方法包括在用所述晶粒涂覆所述第一导电层(16)之前,进行所述晶粒(2)的第一蚀刻以在所述晶粒上形成{111}棱锥面。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述电荷导电材料(3)为导电聚合物、无机材料和金属-有机材料中的任意者。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其中将电荷导电材料(3)施加至所述晶粒(2)的表面上的步骤包括将包含所述电荷导电材料的颗粒的液体基溶液施加至所述晶粒的表面上、所述第一导电层的孔内部和所述绝缘基材的孔内部,并且将所述结构体干燥使得固体电荷导体的层(6)沉积在所述晶粒上和固体电荷导体沉积在所述第一导电层的孔内部和所述绝缘基材的孔内部。
11.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述晶粒(2)由掺杂硅制成,所述第一导电层包含金属或金属合金的颗粒(24),并且在所述第一热处理期间,在所述晶粒与所述颗粒之间的边界形成金属硅化物或金属硅合金的区域(26)。
12.根据权利要求1或2所述的方法,其中在所述第一导电层(16)的表面上形成电绝缘层的步骤包括在氧化环境中进行所述结构体的第二热处理,以在所述第一导电层的有效表面上形成绝缘氧化物层(28)。
13.根据权利要求1或2所述的方法,其中在所述第一导电层(16)的表面上形成电绝缘层的步骤包括在所述第一导电层的有效表面上沉积绝缘涂层。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述晶粒(2)的平均尺寸在10μm与80μm之间。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述晶粒(2)的平均尺寸在20μm与50μm之间。
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