[发明专利]用于填充间隙的方法和设备

权利要求书

1.一种用于通过沉积方法填充在衬底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，包括：

向所述一个或多个间隙的表面的底部区域提供第一反应物；

将第二反应物提供到所述衬底；以及，

允许所述第一反应物在所述第一反应物的一个分子与所述第二反应物的多个分子的化学计量比下在所述表面的所述底部区域中起始所述第二反应物的反应，从而使所述一个或多个间隙的所述表面的未被提供所述第一反应物的顶部区域最初基本上为空。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括在提供第一和或第二反应物之后移除过量的反应物和副产物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积方法重复多次，以从所述底部区域向所述顶部区域填充所述间隙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中与提供所述第一反应物的剂量相比，以相对大的剂量引入所述第二反应物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中向所述一个或多个间隙的所述表面的所述底部区域提供所述第一反应物包括：

将所述第一反应物提供到所述一个或多个间隙的所述表面的所述顶部区域和所述底部区域；以及，

使所述第一反应物从所述一个或多个间隙的所述顶部区域钝化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述一个或多个间隙的所述顶部区域中钝化所述第一反应物包括提供等离子体以在所述间隙的所述顶部区域中钝化所述第一反应物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述等离子体包括氮等离子体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中向所述一个或多个间隙的所述表面的所述底部区域提供所述第一反应物包括：

钝化所述表面的所述顶部区域上的反应性位点；以及，

将所述第一反应物提供到所述表面的所述顶部区域和所述底部区域以与所述表面上的剩余活性位点反应。

9.根据权利要求8所述的方法，其中钝化所述表面的所述顶部区域的反应性位点包括提供等离子体以钝化来自所述顶部区域的所述活性位点。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述等离子体是氮和/或氩等离子体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中向所述一个或多个间隙的所述表面的所述底部区域提供所述第一反应物包括：

在所述表面的所述底部区域中提供聚合物材料；

用所述第一反应物浸润所述聚合物材料；以及

从所述底部区域移除所述聚合物材料，同时允许所述第一反应物保留。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述表面的所述底部区域中提供聚合物材料包括在所述顶部区域和所述底部区域中提供聚合物材料，以及提供等离子体以从所述顶部区域移除所述聚合物材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述等离子体包括氮、氧、氢、氟和/或氩。

14.根据权利要求11所述的方法，其中从所述底部区域移除所述聚合物材料同时允许所述第一反应物保留包括使所述材料在包括大气的氧气中退火。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述聚合物材料包括聚酰亚胺或聚氨酸聚合物，或定向自组装聚合物。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物包含路易斯酸金属或类金属。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述路易斯酸金属或类金属选自由以下组成的群组：铝、硼、镁、钪、镧、钇、锆或铪。