[发明专利]在外延反应器中处理半导体晶片的设备和制备具有外延层的半导体晶片的方法

权利要求书

1.在外延反应器中处理半导体晶片的设备，其包括：

基座；

引导穿过基座的纵向洞；

晶片提升轴；

引导穿过纵向洞的晶片提升销；

基座承载轴；

基座承载臂；

基座支承销；

被锚定在基座承载臂中的引导袖；及

引导元件，所述引导元件突出于所述引导袖并且在上端具有孔，所述晶片提升销插入所述孔中，并且所述引导元件能够借助所述晶片提升轴连同所述晶片提升销一起升高和降低，其中所述引导元件和所述晶片提升销具有不同的热膨胀，并且以通过如下方式确定大小的公差制造，使得在大于900℃的温度下在所述引导元件与所述晶片提升销之间产生夹紧连接。

2.根据权利要求1的设备，其中所述基座承载臂形成用螺丝固定在所述基座承载轴的上端的一体式星形元件。

3.根据权利要求1或2的设备，其包括直立元件，所述直立元件与所述基座承载臂在其外端以高度可调节的方式相连接，并且所述直立元件具有轴向孔，所述基座支承销插入所述轴向孔中，其中所述基座支承销具有球形圆头。

4.根据权利要求3的设备，其在所述基座的背面上具有伸长的盲洞以接收所述基座支承销的球形圆头，其中所述盲洞的长度和宽度在盲洞的开口的方向上增大。

5.制备具有外延层的半导体晶片的方法，其包括：

在外延反应器中提供根据权利要求1至4之一的设备；

将半导体晶片放置在晶片提升销上；

通过降低所述晶片提升销将所述半导体晶片放置在所述基座上；

在所述半导体晶片上沉积外延层；

通过升高所述晶片提升销，由所述基座升起所产生的具有外延层的半导体晶片；及

从所述外延反应器取出所述具有外延层的半导体晶片。

6.根据权利要求5的方法，其包括在单晶硅半导体晶片上沉积硅外延层。