[发明专利]光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法在审
| 申请号: | 201780042752.6 | 申请日: | 2017-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN109690402A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 奥村哲人;宫地宏昭;山田雄大 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G02B5/20;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光掩模 线宽 扫描曝光 多透镜 图案 转印 光掩模制造 扫描方式 投影曝光 投影透镜 滤色器 校正 制造 | ||
该光掩模用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光,其中,在包含所述多透镜的连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA2)存在的所述光掩模的多个图案(Cnn)的线宽,是针对与在不包含所述连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA1)存在的所述光掩模的所述图案(Cnn)相同的图案的线宽进行校正后的线宽。
技术领域
本发明涉及光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法。
本申请基于2016年7月21日在日本申请的特愿2016-143333号以及2016年12月9日在日本申请的特愿2016-238997号而主张优先权,在此引用其内容。
背景技术
近年来,随着大型彩色电视机、笔记本电脑、便携用电子仪器的增加,对于液晶显示器、特别是彩色液晶显示器面板的需求显著增加。对于用于彩色液晶显示器面板的滤色器基板,在由玻璃基板等构成的透明基板上,经由进行使用光掩模的图案曝光、显影等的图案处理的光刻工艺而形成黑矩阵、红色过滤器、绿色过滤器、蓝色过滤器等之类的着色像素、隔离件等。
最近,要求彩色液晶显示器面板自身的大型化,并且还要求生产效率的提高,因此关于所使用的滤色器基板,例如使主玻璃的尺寸实现大型化,高效地制造包含多种大型显示器面板用的图案的、安装于拼版的大型的滤色器基板尤其重要。
另外,对于彩色液晶显示器面板,还提出了如下反射型彩色液晶显示装置,即,在形成有显示设备的阵列基板(硅基板)上使用形成有着色像素、黑矩阵、平坦化层、隔离件等结构要素的阵列基板。
在上述彩色液晶显示装置用的滤色器基板的制造中,当前,为了获得较高的生产率,大多利用统一曝光式的光掩模而采用统一曝光处理方式,但如果光掩模的大型化随着基板尺寸的进一步的大型化而发展,则统一曝光式的光掩模的制造技术方面的困难增加且价格也变得昂贵,统一曝光处理方式的这种问题变大。因此,利用廉价且容易制造的小尺寸的光掩模一边在涂敷有抗蚀剂(感光性树脂液)的玻璃基板、硅基板上进行扫描一边进行曝光的方式(扫描曝光方式)的开发得到发展。
另一方面,对于内置于数码照相机等的固体拍摄元件,在直径为30cm左右的的硅晶片的表面对多个图像传感器进行拼版配置,通过晶片工艺,形成构成图像传感器的多个光电转换元件(CCD或者CMOS)、配线。而且,为了能够对彩色图像进行拍摄,在所述光电转换元件上通过光刻工艺而制作由颜色分解用的着色像素和微透镜构成的OCF(On ChipFilter)层之后,通过切割工序将晶片裁断而形成为芯片(单片)状的固体拍摄元件,为了在用于形成OCF层的光刻工艺中也利用所述扫描曝光方式而进行了开发。
图1是表示扫描曝光方式的投影曝光装置的结构的概念图(专利文献1)。在本装置中,从设置于光掩模32的上部的光源单元(未图示)照射曝光光31,经由实现了图案化的光掩模32使涂敷于基板34上的抗蚀剂感光而形成黑矩阵、着色像素、隔离件、微透镜的图案。投影透镜33是对柱状透镜交错排列而成的多透镜,投影透镜33的中心处于光掩模32的扫描方向的中心线上。载台35对基板34进行支撑,能够与光掩模32同步地沿其扫描方向移动。将光掩模32的扫描方向称为Y方向,将与该Y方向正交且沿着基板34的表面的方向称为X方向。投影透镜33的柱状透镜朝向Y方向而交错排列。抗蚀剂涂敷于基板34的表面。
例如如果光掩模32以基板34的1/4的大小进行X方向上为2个、且Y方向上为2个的4拼版扫描曝光,则首先以与将基板34的表面进行4分割得到的区域中的1个(1/4的区域)的中心一致的方式使光掩模32的中心移动而规定初始位置。然后,光掩模32和基板34相对于固定的投影透镜33沿Y方向同时进行扫描动作,将形成于光掩模32的图案转印于基板34的1/4的区域的抗蚀剂。光掩模32反复进行该动作并移动至剩余的3个初始位置,进行向整个基板34的抗蚀剂的转印。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





