[发明专利]多层X射线源靶在审
| 申请号： | 201780040519.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109417009A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | V·S·鲁滨逊;Y·梁;T·R·拉伯;G·T·达拉科斯;C·维尔德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01J35/08 | 分类号： | H01J35/08;H01J35/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 热传导层 生成材料 沉积层 防止层 增加层 层离 减小 交错 关联 生产 | ||
1.一种X射线源，其包括：
配置成发射电子束的发射器；以及
配置成当由电子束撞击时生成X射线的靶，所述靶包括：
热传导衬底；
两个或以上的X射线生成层，其中所述X射线生成层被至少一个中间热传导层隔开；以及
一个或多个界面层，形成于相应的一个X射线生成层和所述第一热传导层或相应的一个中间热传导层中的一者或两者之间。
2.根据权利要求1所述的X射线源，其中，所述热传导衬底或所述中间热传导层中的一者或两者包括金刚石。
3.根据权利要求1所述的X射线源，其中，所述热传导层的粗糙度在约0.8μm到约4.0μm的范围。
4.根据权利要求1所述的X射线源，其中，所述X射线生成层处的粗糙度在约0.3μm到约1.0μm的范围。
5.根据权利要求1所述的X射线源，其中，所述X射线生成层包括钨、钼、钛-锆-钼合金(TZM)、钨-铼合金、铑、铜-钨合金、铬、铁、钴、铜、银中的一个或多个。
6.根据权利要求1所述的X射线源，其中，至少一个界面层包括碳化钨。
7.一种X射线源，其包括：
配置成发射电子束的发射器；以及
配置成当由电子束撞击时生成X射线的靶，所述靶包括：
第一热传导层；
第一界面层，形成于所述第一热传导层上；
第一X射线生成层，形成于所述第一界面层上；
第二热传导层，形成于所述第一X射线生成层上；
第二界面层，形成于所述第二热传导层上；以及
第二X射线生成层，形成于所述第二界面层上。
8.根据权利要求7所述的X射线源，其中，所述第一热传导层的表面的粗糙度在约0.3μm到约2.0μm的范围。
9.根据权利要求7所述的X射线源，其中，所述第一X射线生成层和所述第二热传导层之间的表面的粗糙度在约0.3μm到约2.0μm的范围。
10.根据权利要求7所述的X射线源，其中，所述第一热传导层或所述第二热传导层中的一者或两者包括金刚石。
11.根据权利要求7所述的X射线源，其中，所述X射线生成层包括钨、钼、钛-锆-钼合金(TZM)、钨-铼合金、铑、铜-钨合金、铬、铁、钴、铜、银中的一个或多个。
12.根据权利要求7所述的X射线源，其中，所述第一界面层或所述第二界面层中的一者或两者包括碳化钨。
13.根据权利要求7所述的X射线源，其中，其还包括布置在所述第一X射线生成层和所述第二热传导层之间的额外界面层。
14.一种X射线源，其包括：
配置成发射电子束的发射器；以及
配置成当由电子束撞击时生成X射线的靶，所述靶包括：
第一热传导层；
第一X射线生成层，形成于所述第一热传导层上；
第一界面层，形成于所述第一X射线生成层上；
第二热传导层，形成于所述第一界面层上；以及
第二X射线生成层，形成于所述第二热传导层上。
15.根据权利要求14所述的X射线源，其中，所述第一热传导层和所述第一X射线生成层之间的表面的粗糙度在约0.3μm到约2.0μm的范围。
16.根据权利要求14所述的X射线源，其中，所述第一X射线生成层的表面的粗糙度在约0.3μm到约2.0μm的范围。
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