[发明专利]暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片

说明书

本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。

技术领域

本发明涉及一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件是在半导体基板的成膜处理时与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内的暴露用石英玻璃构件，与表面平坦的暴露用石英玻璃构件相比增大相对于成膜处理气体的暴露面积，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。

背景技术

以往，在半导体装置的制造工序中，对硅晶片等半导体基板进行例如CVD(Chemical Vapor Deposition)等各种成膜处理。在该成膜处理中，例如将半导体基板载置于称为晶片舟或基座的晶片保持夹具而向反应室搬入，并进行成膜处理。

在这样的使用晶片保持夹具的成膜处理中，有时由作为不与处理气体反应的材质的石英玻璃制作晶片舟，将半导体基板载置于该晶片舟，将所述半导体基板与由作为不与处理气体反应的材质的石英玻璃制作的构件一起收容于反应室，进行成膜处理。在专利文献1中示出这样的成膜方法。

在该技术中，一般为用于降低气体向晶片的流动的偏差的构件，但在成膜处理中，膜与半导体基板同样地累积附着，由于剥离产生的异物、由于与膜的膨胀差导致的破损等成为问题，对此进行了各种研究。

然而，被成膜处理的半导体基板由于处理而在表面形成有凹凸，与表面平坦的半导体基板相较，表面积增大，因此为了使向半导体基板的成膜均匀，希望也增大在反应室内暴露于成膜处理气体的石英玻璃构件的表面积，与半导体基板的表面的凹凸相匹配地控制成膜处理气体的吸附量。

并且，随着成膜形成的膜厚变得薄膜化，对于石英玻璃构件而言，与将其气体的流动的偏差相比，基于成膜气体的吸附量的控制而实现的对于均匀的半导体基板的均匀的成膜成为课题，在增大该石英玻璃构件的成膜处理气体暴露面积并且精密地控制成膜处理气体的吸附时，难以形成精度良好且生产效率良好并且该表面积增大了的石英玻璃构件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-99157

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于上述的现有技术的问题点而完成的，其目的在于提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法所使用的多重外周刃刀片，该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比，增大相对于成膜处理气体的暴露面积，并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。

用于解决课题的方案

本发明的暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件，其中，所述暴露面积增大石英玻璃构件具有：石英玻璃构件主体；和在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部，所述暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。对于所述暴露面积的控制而言，优选控制为成膜处理气体向暴露面表面的吸附量恒定。

优选为，被控制而增大的所述多个凹凸部呈槽形状，该槽的槽宽和槽深的偏差的范围各在±20％以内。