[发明专利]暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片有效
| 申请号： | 201780036879.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109314056B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 土田昭祯;藤井纪和;牧田佳纪 | 申请（专利权）人： | 信越石英株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;B24B19/02;B24D5/00;C03C19/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 肖茂深 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 暴露 面积 增大 石英玻璃 构件 及其 制造 方法 以及 多重 外周刃 刀片 | ||
1.一种暴露面积增大石英玻璃构件，其为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的板状的石英玻璃构件，所述半导体基板已由于处理而在表面形成有凹凸，其中，
所述暴露面积增大石英玻璃构件具有：
石英玻璃构件主体；和
为了控制成膜处理气体的吸附量而在所述石英玻璃构件主体的表面形成的槽宽以及槽深为0.05mm～1.5mm的槽形状的多个凹凸部，
该石英玻璃构件主体的表面的多个凹凸部的槽形状的槽宽与槽深之比为1∶1～1∶10，该槽的槽宽和槽深的偏差的范围各在±20％以内，由此增大所述暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积，并且增大暴露面积被控制为所述成膜处理气体向暴露面表面的吸附量恒定。
2.一种暴露面积增大石英玻璃构件的制造方法，其为权利要求1所述的暴露面积增大石英玻璃构件的制造方法，其中，
通过使用多重外周刃刀片在所述石英玻璃构件主体的表面同时进行多个槽加工，从而形成所述多个凹凸部。
3.根据权利要求2所述的暴露面积增大石英玻璃构件的制造方法，其中，
通过所述槽加工而获得的暴露面积增大石英玻璃构件的进行了槽加工的一面的表面积为进行所述槽加工前的所述暴露面积增大石英玻璃构件的所述一面的表面积的3倍以上。
4.一种多重外周刃刀片，其为用于进行权利要求2或3所述的暴露面积增大石英玻璃构件的制造方法中的槽加工的暴露面积增大石英玻璃构件制造用多重外周刃刀片，其中，
所述多重外周刃刀片具有：
单一的圆盘状基体部；
金刚石磨粒层基部，其形成于所述圆盘状基体部的外周部；以及
金刚石磨粒刃部，其通过从所述金刚石磨粒层基部突出且一体地设置有多个刃而成。
5.根据权利要求4所述的多重外周刃刀片，其中，
所述金刚石磨粒刃部的各刃的刃厚与刃长之比为1∶5以上。
6.根据权利要求4或5所述的多重外周刃刀片，其中，
所述金刚石磨粒层基部具有所述金刚石磨粒刃部的各刃的刃长的2倍以上的厚度。
7.根据权利要求4或5所述的多重外周刃刀片，其中，
在所述多个刃之间的所述金刚石磨粒层基部的表面形成有圆弧状的凹陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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