[发明专利]LED模块及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201780035169.2 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN109314126A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 刘泰京;金大原;金镇模;崔珍原;许支闵;申荣桓;韩率;李圭珍 申请(专利权)人: 株式会社流明斯
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/62;H01L21/677;H05B33/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;宋东颖
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 转印带 芯片保持部 芯片载体 粘合区域 转印工艺 芯片 制造 按压 电极焊盘 曝光步骤 芯片拾取 粘合电极 制作工艺 区域性 粘合力 粘合面 粘合 附着 焊盘 基板 暴露 制作
【权利要求书】:

1.一种LED模块的制造方法,其特征在于,包括:

芯片载体制作工艺,制作包括具有水平的粘合面的芯片保持部以及在所述芯片保持部的粘合面粘合电极焊盘的多个LED芯片的芯片载体;

转印工艺,从所述芯片保持部将所述多个LED芯片按一定排列转移到位于其他位置的基板,

其中,所述转印工艺包括:

第一次曝光步骤,将所述转印带区域性地暴露在减弱转印带的粘合力的光中,从而以规定间隔在所述转印带中形成粘合区域;以及

芯片拾取步骤,将所述转印带按压在所述芯片保持部上的所述LED芯片,使得每个所述LED芯片附着在所述转印带的每个所述粘合区域的同时,从所述芯片保持部分离所述LED芯片的电极焊盘。

2.根据权利要求1所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

在所述第一次曝光步骤中,通过使用形成有多个光透射窗的光掩膜,使光穿过所述光透射窗而暴露在所述转印带。

3.根据权利要求1所述的LED模块的制造方法,其特征在于,所述芯片拾取步骤后,还包括:

第二次曝光步骤,整体减弱附着有所述LED芯片的所述转印带的粘合力;

放置步骤,将多个所述LED芯片从粘合力被整体减弱的所述转印带转移到所述基板。

4.根据权利要求1所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

在所述芯片拾取步骤中,通过单向滚动旋转的拾取辊将所述转印带按压到在所述芯片保持部上粘合的所述LED芯片上。

5.根据权利要求3所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

在所述放置步骤中,利用放置辊将附着在所述转印带的所述LED芯片按压到所述基板上,使得所述LED芯片的电极焊盘附着到预先形成在所述基板上的一对凸点。

6.根据权利要求5所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

在所述放置步骤中,所述转印带的粘合力小于预先置于所述一对凸点的粘合剂的粘合力。

7.根据权利要求1所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

所述芯片载体制作工艺包括:准备具有水平的粘合面的芯片保持部的步骤;准备多个LED芯片的步骤;以及在所述粘合面上粘合所述多个LED芯片,使得构成一个以上的LED芯片阵列的芯片附着步骤,

其中,在所述准备多个LED芯片的步骤中,准备n型电极焊盘和p型电极焊盘向下延伸的多个LED芯片,在所述芯片附着步骤中,将所述n型电极焊盘及所述p型电极焊盘直接粘合到所述粘合面。

8.根据权利要求7所述的LED模块的制造方法,其特征在于,

在所述芯片附着步骤中,将所述多个LED芯片附着到所述粘合面,使得所述芯片保持部上的所述LED芯片阵列中的间距是通过所述转印工艺而转移到所述基板的LED芯片阵列中的间距的1/n倍,其中n是大于1的自然数,

其中,所述间距是相邻的两个LED芯片中一个LED芯片的中心与另一个LED芯片的中心之间的水平距离。

9.一种LED模块,其特征在于,包括:

多个LED芯片,其一侧具备电极焊盘,另一侧具有与转印带接触的面,并且从外部的芯片保持部转移并构成阵列;以及

基板,其具有与所述电极焊盘倒装焊接的多个凸点,

其中,所述转印带由从外部照射到所述LED芯片的另一侧的第一次光而被划分为暴露区域和非暴露区域,所述LED芯片粘合并拾取到作为粘合区域的所述非暴露区域。

10.根据权利要求9所述的LED模块,其特征在于,

所述转印带的所述粘合区域由从所述外部照射到所述LED芯片的另一侧的第二次光而粘合力被降低,以致与所述LED芯片分离。

11.根据权利要求9所述的LED模块,其特征在于,

所述转印带的所述粘合区域是通过光掩膜而不暴露于从所述外部照射到所述LED芯片的另一侧的第一次光的区域。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社流明斯,未经株式会社流明斯许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780035169.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top