[发明专利]覆盖有硅化合物的氧化物粒子及其制造方法、和含有其的覆盖有硅化合物的氧化物组合物

权利要求书

1.覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其为金属氧化物粒子表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，

上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子含有CF键，

上述硅化合物为含有非晶质的硅氧化物的硅化合物，

通过控制上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子中含有的CF键对Si-OH键的比率即CF键/Si-OH键比率，来控制润湿性以及颜色特性。

2.权利要求1所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述润湿性为疏水性或疏油性。

3.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述颜色特性为反射率、透射率或摩尔吸光系数的任一种。

4.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述CF键/Si-OH键比率是通过波形分离使用全反射测定法(ATR法)测定的红外吸收光谱中的波数650cm^-1～1300cm^-1的来自覆盖有硅化合物的氧化物粒子的峰而计算的。

5.权利要求4所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述波形分离的来自CF键的峰为在波数1200cm^-1～1220cm^-1的范围波形分离的峰。

6.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，通过进行上述硅化合物中含有的官能团的变更处理，来控制上述CF键/Si-OH键的比率。

7.权利要求6所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述官能团的变更处理为氟化处理。

8.权利要求7所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述氟化处理为三氟甲基化处理。

9.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，在上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子分散于分散介质的分散体的状态下控制上述CF键/Si-OH键的比率。

10.权利要求9所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，通过对上述分散体进行热处理，来控制上述CF键/Si-OH键的比率。

11.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，在可靠近和远离的相对旋转的处理用面之间，控制上述CF键/Si-OH键的比率。

12.权利要求9所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，上述分散体为涂膜、膜或玻璃，通过对上述分散体进行热处理，来控制上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子的疏水性或疏油性、以及颜色特性。

13.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，通过控制上述CF键/Si-OH键的比率使之降低，来控制波长780nm至2500nm区域的平均反射率使之升高。

14.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，通过控制上述CF键/Si-OH键的比率使之降低，来控制上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子分散于有机溶剂的分散体的波长200nm至380nm区域的平均摩尔吸光系数使之升高。