[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备

说明书

一种半导体电路包括第一电路(IV1、IV3)和第二电路(IV2、IV4)、第一晶体管(31)和第二晶体管(32)、第一存储元件(35)、以及驱动器(22、23、52、53)。所述第一电路(IV1、IV3)和所述第二电路(IV2、IV4)分别将第一节点(N1)和第二节点(N2)处的电压的反相电压施加至所述第二节点(N2)和所述第一节点(N1)。所述第一晶体管(31)被接通以将所述第一节点(N1)和第三节点耦合。所述第二晶体管(32)包括耦合至所述第一节点(N1)的栅极、漏极和源极。所述漏极和所述源极中的一个耦合至所述第三节点，并且另一个被供应第一控制电压(SCL1)。所述第一存储元件(35)包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压(SCTRL)的第二端。所述第一存储元件(35)能够采取第一或第二电阻状态。所述驱动器(22、23、52、53)控制所述第一晶体管(31)的操作并且生成所述第一控制电压(SCL1)和所述第二控制电压(SCTRL)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年5月16日提交的日本优先权专利申请JP 2016-097645的权益，其全部内容以引用方式并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体电路、一种半导体电路的驱动方法、以及一种包括半导体电路的电子设备。

背景技术

已经从经济角度对电子设备的低功率消耗进行了研究。在半导体电路中，例如，通常使用所谓的功率门控技术。功率门控可包括选择性地中止供应给一些电路的电力，以便减少功率消耗。在供电重新开始后，希望供电被中止的电路立即回到供电中止之前的操作状态。在短时间段内实现这种恢复操作的一种方法是在电路中结合非易失性存储器。例如，PTL 1公开了一种具有静态随机存取存储器(SRAM)和自旋转移力矩的存储元件的组合的电路。SRAM为易失性存储器。

[引用列表]

[专利文献]

[PTL 1]国际公布WO 2009/028298 A1

发明内容

技术问题

在存储电路中，希望减少干扰发生的可能性，并且期望进一步改善。

希望提供使得可以减少干扰发生的可能性的一种半导体电路、一种驱动方法以及一种电子设备。

问题的解决方案

根据本公开的一个实施例的半导体电路包括第一电路、第二电路、第一晶体管、第二晶体管、以及第一存储元件。第一电路被配置成基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的第一反相电压，并且将第一反相电压施加至第二节点。第二电路是被配置成基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的第二反相电压，并且将第二反相电压施加至第一节点的电路。第一晶体管将第一节点或第二节点耦合至第三节点。第二晶体管耦合至第一节点或第二节点、第三节点，并且被供应第一控制电压。第一存储元件包括耦合至第三节点的第一端和被供应第二控制电压的第二端。

根据本公开的一个实施例的驱动方法包括在包括第一电路、第二电路、第一晶体管、第二晶体管、以及第一存储元件的半导体电路上执行第一驱动。第一电路被配置成基于第一节点处的电压生成第一节点处的电压的第一反相电压，并且将第一反相电压施加至第二节点。第二电路被配置成基于第二节点处的电压生成第二节点处的电压的第二反相电压，并且将第二反相电压施加至第一节点。第一晶体管将第一节点或第二节点耦合至第三节点。第二晶体管耦合至第一节点或第二节点、第三节点，并且被供应第一控制电压。第一存储元件包括耦合至第三节点的第一端和被供应第二控制电压的第二端。第一驱动包括关断第一晶体管，使得第一控制电压和第二控制电压彼此不同，并且将第一控制电压与第二控制电压之间的电压差的极性设置为第一极性以根据第一节点处的电压配置第一存储元件的电阻状态。