[发明专利]用于基于电磁辐射和/或机械波确定成像的分辨率的制品

说明书

一种用于基于电磁辐射、机械波或两者确定成像的分辨率的制品(101)被呈现。制品包括基底(102)和在基底之上的层(103、104)。层包括有机材料并且以部分重叠的方式彼此堆叠，使得层中的第一层的边缘(107)被布置为与层中的第二层的边缘(108)相交，层构成三维表面形态，其中，由层中的第一层和第二层的边缘所限定的凹槽(111)朝向边缘之间的交点(112)逐渐变尖细。分辨率是由成像展现的锥形凹槽的最小宽度，使得预先确定的标准被满足。

技术领域

本公开涉及用于基于电磁辐射和/或机械波确定成像的分辨率的制品。另外，本公开涉及用于基于电磁辐射和/或机械波确定成像的分辨率的方法，涉及用于基于电磁辐射和/或机械波校准成像的方法，以及涉及用于基于电磁辐射和/或机械波的成像的系统。

背景技术

在显微镜成像和其他基于电磁辐射的成像中以及在超声和其他基于机械波的成像中，重要的度量通常包括放大率、视场“FOV”、景深和分辨率。虽然这些度量中的许多度量容易用明确的方式限定，但是分辨率的确定可以是有问题的。在国际标准组织“ISO”的标准中，成像仪器来分辨间距和高度的能力已被命名为“横向周期极限”并且被定义为仪器的高度响应减少到50％时的正弦曲线的空间周期。表明分辨率的横向周期极限可以通过使用具有三维“3D”表面形态的制品来确定，借助于该制品，可以找到对应于50％高度响应的空间频率。例如，制品可以是Siemens星，其以径向导向的区域的模式为特征，该区域在星的中心重合并且朝向中心逐渐变尖细。径向导向的区域交替地更低或更高，使得当观测点沿着包围中心的圆形行进时，表面高度周期性地变化。当圆形的半径减小时，高度变化的横向周期变小。例如，在Birch和Griffing的文章：Sinusoidal Siemens star spatial frequencyresponse measurement errors due to misidentified target centers,OpticalEngineering 54(7),074104,July 2015中，讨论了用于确定光学系统的分辨率的Siemens星的使用。

在许多情况下，制品的3D表面形态可以通过切割和/或蚀刻来制造。对于通过切割和/或蚀刻制造的制品，合适的材料是例如硅“Si”、锆“Zr”以及许多金属。然而，作为制造的方法，切割具有一些限制。与切割相关的一个挑战是：经切割的3D表面形态中的横向弯曲的半径具有下限，这限制了切割作为针对需要非常精细间距的3D表面形态的制品的制造方法的适宜性。另外，将用基于电磁辐射和/或机械波的成像来检查的样品通常由有机材料组成。因此，通过切割和/或蚀刻制造的制品的材料性质可以与将被检查的样品的材料性质非常不同。例如，样品材料的折射率和/或声阻抗可以与通过切割和/或蚀刻制造的制品材料的折射率和/或声阻抗非常不同。在许多情况下，折射率和/或声阻抗在基于电磁辐射和/或机械波的成像中扮演重要角色。样品和制品中的不同折射率和/或声阻抗可以使基于制品的并且被用来提高成像质量的校准失真。

发明内容

以下内容呈现简化的发明内容来提供不同发明实施例的一些方面的基本理解。本发明内容不是本发明的广泛概述。其既不旨在标识本发明的关键或重要元素，也不旨在描述本发明的范围。以下发明内容仅以简化的形式呈现本发明的一些概念，作为本发明的示例性的并且非限制性的实施例的更详细描述的前奏。

根据本发明，提供了一种用于基于电磁辐射和/或机械波确定成像的分辨率的新制品。例如，但不必要地，成像可以是基于从被成像的对象反射的电磁波或机械波和从参照反射物反射的另外电磁波或机械波之间的干涉的干涉测量法。基于电磁辐射的干涉测量法可以是例如白光干涉测量法“WLI”、白光偏振测量法“WLPI”、频闪扫描白光干涉测量法“SSWLI”和/或频闪扫描白光偏振干涉测量法“SSWLPI”。另外，基于电磁辐射的成像可以表示低相干技术、共聚焦技术、相移技术、椭圆测量技术和/或表面等离子体共振成像“SPRi”技术。基于机械波的干涉测量法可以是例如声干涉显微镜测量法。另外，基于机械波的成像可以是例如超声成像(诸如例如超声显微镜成像)。基于电磁辐射和机械波两者的成像的示例是激光超声成像，其中，激光被用于激发用来成像的机械振动。