[发明专利]复合退火以及选择性沈积系统

权利要求书

1.一种用以选择性地形成膜的系统，包括：

第一批量反应室，所述第一批量反应室用以容纳具有至少一个聚合物层的至少一个衬底；

加热组件，用以对所述至少一个衬底执行退火步骤；以及

气体前体递送系统，所述气体前体递送系统用以藉由将第一前体及第二前体依序地脉冲至所述至少一个衬底上来执行膜沈积，所述膜沈积用以达成至少所述第一前体向所述至少一个聚合物层中的渗透；

其中膜或材料形成于所述至少一个聚合物层上；以及

其中所述退火步骤及所述膜沈积是在不暴露至周围空气的情况下进行。

2.如权利要求1所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述膜包含以下中的至少一者：氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氮化硅(SiCN)、氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钴(Co)、二氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、二氧化锆(ZrO₂)、或二氧化铪(HfO₂)。

3.如权利要求1所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第一批量反应室用以处理多个衬底。

4.如权利要求1所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第一批量反应室用以执行所述退火步骤。

5.如权利要求1所述的用以选择性地形成膜的系统，更包括批量第二反应室，所述批量第二反应室用以容纳具有至少一个聚合物层的至少一个衬底。

6.如权利要求5所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第一反应室执行所述退火步骤，且所述第二反应室执行所述膜沈积。

7.如权利要求6所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第一批量反应室执行所述膜沈积，且所述第二反应室执行所述退火步骤。

8.如权利要求6所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述至少一个衬底随多重衬底容纳器中的至少第二衬底一起自所述第一批量反应室传送至所述第二批量反应室。

9.一种用以选择性地形成膜或材料的系统，包括：

第一批量反应室，所述第一批量反应室用以容纳具有至少一个聚合物层的至少第一衬底；

第二批量反应室，所述第二批量反应室用以容纳具有至少一个聚合物层的至少第二衬底；

第一加热组件，与所述第一批量反应室相关联且用以对所述第一衬底执行退火步骤；

第二加热组件，与所述第二批量反应室相关联且用以对所述第二衬底执行退火步骤；以及

气体前体递送系统，所述气体前体递送系统用以藉由将第一前体及第二前体依序地脉冲至所述第一衬底及所述第二衬底上来沈积膜，其中至少所述第一前体向所述至少一个聚合物层中渗透；

其中所述退火步骤及所述膜沈积是在不暴露至周围空气的情况下进行。

10.如权利要求9所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第一反应室用以处理多个衬底。

11.如权利要求9所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述第二反应室用以处理多个衬底。

12.如权利要求9所述的用以选择性地形成膜的系统，其特征在于，所述至少一个衬底随多重衬底容纳器中的至少第二衬底一起自所述第一批量反应室传送至所述第二批量反应室。