[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，具备：

电子部件(12)；

密封树脂体(11)，密封所述电子部件；

第1部件(19)，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及

第2部件(16、25)，在所述密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与所述第1部件连接，

所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材(191c)；以及覆膜(191d)，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面(191a)的相反一侧的背面(191b)侧的表面上，

所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜(191e)、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜(191f)，

所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。

2.如权利要求1所述的电子装置，其中，

在所述层叠方向上，所述密封树脂体的厚度设置为，覆盖所述第1部件的所述背面(191b)的部分比覆盖所述第2部件的与所述第1部件对置的对置面(16a、25a)的相反一侧的背面(16b、25b)的部分薄。

3.如权利要求1所述的电子装置，其中，

所述电子装置形成构成三相逆变器的3组上下臂中的1组，

所述电子部件是在所述层叠方向上的一面(12a)以及与所述一面相反一侧的背面(12b)分别设置有电极(13a、13b)的半导体芯片(12)，

所述半导体芯片具有构成上臂的上臂芯片(12H)、以及构成下臂的下臂芯片(12L)，该下臂芯片(12L)在与所述层叠方向正交的正交方向上与所述上臂芯片排列配置成彼此的所述一面在所述层叠方向上成为相同侧；

所述电子装置具备：

第1散热片(14)以及作为所述第1部件的第2散热片，该第1散热片(14)以及第2散热片是为了将所述半导体芯片的热进行散热而被配置成在所述层叠方向上分别夹持所述半导体芯片的一对散热片，该第1散热片(14)在所述层叠方向上配置于所述一面侧，并与所述一面的电极电连接，该第2散热片在所述层叠方向上配置于所述背面侧，并包括与所述背面的电极电连接的主体部(190)、以及从所述主体部沿所述正交方向延伸设置的延伸设置部(191)；以及

作为所述第2部件的接头部(16)以及主端子(25)，以在所述层叠方向上与所述延伸设置部对置的方式相对于所述延伸设置部被配置于所述半导体芯片侧，且经由所述软钎料与所述延伸设置部电连接，该接头部(16)与所述上臂以及所述下臂中的一方的所述延伸设置部连接，该主端子(25)与另一方的所述延伸设置部连接。

4.如权利要求1所述的电子装置，其中，

所述第1部件具有设置于所述对置面并将所述连接区域包围的槽部(195)、以及与所述槽部对应地设置于所述背面的作为位置基准部的突起部(196)。

5.如权利要求1所述的电子装置，其中，

所述第1部件具有设置于所述对置面并将所述连接区域包围的第1槽部(195)、以及与所述第1槽部对应地设置于所述背面的作为位置基准部的第2槽部(197)。

6.如权利要求4所述的电子装置，其中，

所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面设置于所述位置基准部。

7.如权利要求1所述的电子装置，其中，

所述凹凸氧化膜设置于所述第1部件的所述背面的整面。

8.如权利要求1所述的电子装置，其中，

所述金属薄膜在设置有所述凹凸氧化膜的部分的表面具有多个凹部(191g)。

9.如权利要求1～8中任一项所述的电子装置，其中，

在所述金属薄膜中，设置有所述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚比未设置所述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚薄。

10.一种电子装置的制造方法，该电子装置具备：

电子部件(12)；

密封树脂体(11)，密封所述电子部件；

第1部件(19)，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及

第2部件(16、25)，在所述密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与所述第1部件连接，

所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材(191c)、以及覆膜(191d)，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面(191a)的相反一侧的背面(191b)侧的表面上，

所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜(191e)、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜(191f)，

所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠，

所述电子装置的制造方法具备：

准备形成有所述金属薄膜的所述基材；

以至少包含所述金属薄膜的表面中的、所述第1部件的背面侧的表面上的所述连接区域的背面部分全域的方式，照射脉冲振荡的激光，从而形成所述凹凸氧化膜；

经由所述软钎料将所述第1部件与所述第2部件连接；

在所述凹凸氧化膜的形成、以及所述第1部件与所述第2部件的连接之后，成形出所述密封树脂体；以及

在成形出所述密封树脂体之后，使用超声波探伤装置(33)在所述层叠方向上从所述第1部件侧检查所述软钎料。