[发明专利]低热膨胀构件用组合物、低热膨胀构件、电子机器及低热膨胀构件的制造方法

权利要求书

1.一种低热膨胀构件用组合物，其特征在于包含：

与第1偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及

与第2偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；

通过硬化处理，所述第1无机填料与所述第2无机填料经由所述第1偶合剂与所述第2偶合剂而键结，

所述热膨胀控制构件的热膨胀率各不相同。

2.根据权利要求1所述的低热膨胀构件用组合物，其中所述第1无机填料与所述第2无机填料为选自由氧化铝、氧化镁、氧化锌、二氧化硅、堇青石、氮化硅、及碳化硅所组成的群组中的至少一者。

3.根据权利要求1或2所述的低热膨胀构件用组合物，其中所述第1偶合剂与所述第2偶合剂相同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的低热膨胀构件用组合物，其还包含具有与所述第1无机填料及所述第2无机填料不同的热膨胀率的导热性的第3无机填料。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的低热膨胀构件用组合物，其还包含所述第1无机填料及所述第2无机填料所未键结的有机化合物、高分子化合物、或玻璃纤维。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的低热膨胀构件用组合物，在所述第1偶合剂的另一端键结有二官能以上的聚合性化合物的一端，所述低热膨胀构件用组合物的特征在于，

通过硬化处理，所述聚合性化合物的另一端键结于所述第2偶合剂的另一端。

7.根据权利要求6所述的低热膨胀构件用组合物，其中所述二官能以上的聚合性化合物为下述式(1-1)所表示的至少一种聚合性液晶化合物；

R^a-Z-(A-Z)_m-R^a…(1-1)

[所述式(1-1)中，

R^a分别独立地为能够与第1偶合剂及第2偶合剂的另一端的官能基键结的官能基；

A为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、四氢萘-2，6-二基、芴-2，7-二基、双环[2.2.2]辛-1，4-二基、或双环[3.1.0]己-3，6-二基，

所述环上，任意的-CH₂-可被-O-取代，任意的-CH＝可被-N＝取代，任意的氢可被卤素、碳数1～10的烷基、或碳数1～10的卤化烷基取代，

所述烷基中，任意的-CH₂-可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、或-C≡C-取代；

Z分别独立地为单键、或碳数1～20的亚烷基，

所述亚烷基中，任意的-CH₂-可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-N(O)＝N-、或-C≡C-取代，任意的氢可被卤素取代；

m为1～6的整数]。

8.根据权利要求7所述的低热膨胀构件用组合物，其中所述式(1-1)中，A为1，4-亚环己基、任意的氢被卤素取代的1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、任意的氢被卤素或甲基取代的1，4-亚苯基、芴-2，7-二基、或任意的氢被卤素或甲基取代的芴-2，7-二基。