[发明专利]聚合物、组合物、牺牲层的形成以及用于具有其的半导体装置的方法在审
| 申请号: | 201780010051.4 | 申请日: | 2017-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN108602939A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
| 发明(设计)人: | 中杉茂正;滨祐介;黑泽和则;柳田浩志;能谷刚 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/12;C08G8/02;C08G10/00;C09D161/00;C09D165/00;G03F7/11;G03F7/26;G03F7/09;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
| 地址: | 卢森堡国*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚合物 牺牲层 制备半导体装置 半导体装置 光致抗蚀剂 光刻法 图案 制作 | ||
1.一种聚合物,包含由下式(1)表示的单元1,其中该聚合物的重均分子量(Mw)满足下式(2),
500Da≤Mw≤10,000Da式(2),
X是由下式(3)、(4)或(5)表示的结构,
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10和C11为碳,C5和C4在*位置键合以形成芳烃环,
C1和C2、C2和C3、C3和C4、C5和C6、C6和C7、C8和C9、C9和C10、C10或C11任选地具有另外一个芳烃环或者另外一个或多个脂肪烃环,任选地,那些环可以被连接,任选地,那些芳烃环或脂肪烃环可以独立地被一个或多个取代基取代,或未被取代,
L是碳原子数为6~18的芳烃环、-O-或酮,
n是选自1、2、3、4或5的整数,
多个L可以彼此相同或不同,
Y是碳原子数为6~18的芳烃环、碳原子数为1~5的烷基或氢,以及
任选地,Y、L、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10和C11可以独立地被一个或多个取代基取代,或未被取代。
2.根据权利要求1所述的聚合物,其中所述式(1)由式(6)、(7)或(8)表示,以及
Y、L、n、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10和C11的定义分别与权利要求1相同。
3.根据权利要求1或2中至少一项所述的聚合物,其中所述式(1)由选自式(6-1)至(8-9)中的至少一个表示,Y、L或n的定义分别与权利要求1相同。
4.根据权利要求1~3中至少一项所述的聚合物,其中L为苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、三亚苯基、荧蒽基、-O-或-C(=O)-,以及
Y为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、三亚苯基、荧蒽基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或氢。
5.一种组合物,包含根据权利要求1~3中至少一项所述的聚合物、以及溶剂。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中还包含交联剂、产酸剂或它们的混合物。
7.根据权利要求5或6中至少一项所述的组合物,其中所述组合物用于牺牲层。
8.一种牺牲层,包含根据权利要求1~3中至少一项所述的聚合物。
9.一种消除权利要求8的牺牲层的方法,包括从溶解、等离子体处理、高能辐射照射或热分解中选出的至少一个步骤。
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