[发明专利]挡板有效
| 申请号: | 201780009951.7 | 申请日: | 2017-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN108604566B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 岩坂齐;德永英幸;河西裕二;舆石克洋;田中秀光 | 申请(专利权)人: | 哈莫技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/07 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 挡板 | ||
一种安装到旋流形成体(1)的挡板(2)设置有:挡板主体(21),该挡板主体被设置为能够安装到旋流形成体(1)以及从该旋流形成体(1)拆卸,挡板主体(21)允许由旋流形成体(1)所生成的负压吸入的流体穿过,并且防止被抽吸物体进入旋流形成体(1)的凹部(13);支撑构件(22),该支撑构件在支撑构件的一端处附装到流体流形成体(1)的主体(11),并且在支撑构件的另一端处支撑挡板主体(21),使得挡板主体(21)面向旋流形成体(1)的端面(12),支撑构件(22)将挡板主体(21)支撑为使得保持端面(12)与挡板主体(21)之间的间隙,并且形成允许流出凹部(13)的流体流动的流路。
技术领域
本发明涉及一种有待附接到通过使用伯努利(Bernoulli)定律向材料施加抽吸的装置的挡板。
背景技术
本领域中已知的是用于通过使用伯努利定律向诸如半导体晶片或玻璃衬底的板状构件施加抽吸的装置。例如,在专利文献1中,描述了一种抽吸装置,该抽吸装置包括旋流形成体,该旋流形成体在旋流形成体的凹部内形成旋流。在凹部内形成的旋流生成向构件施加抽吸的负压。抽吸装置还包括:挡板,该挡板用于防止构件进入凹部;和连接构件,这些连接构件用于在旋流形成体的端面与挡板之间形成允许流出凹部的流体流动的流路。该抽吸装置能够以稳定方式向构件施加抽吸。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP 2016-159405 A1
发明内容
本发明要解决的问题
鉴于上述技术而提出本发明,并且本发明的目的是提供一种包括挡板主体的挡板,该挡板主体以可移除的方式附接到形成旋流或径向流的流体流形成体,该旋流或径向流生成向构件施加抽吸的负压。
解决问题的手段
为了解决以上所描述的问题,本发明提供了一种有待附接到流体流形成体的挡板,流体流形成体包括:柱状主体;平坦端面,该平坦端面形成在主体处;凹部,该凹部形成在端面处;以及流体流形成装置,该流体流形成装置用于在凹部中形成流体旋流或通过将流体排放到凹部中形成径向流,流体旋流或径向流生成向构件施加抽吸的负压,挡板包括:挡板主体,该挡板主体能够附接到流体流形成体以及与其分离,并且在防止构件进入凹部的同时允许由负压施加了抽吸的流体穿过;和支撑构件,该支撑构件在该支撑构件的一端处附接到主体,并且在支撑构件的另一端处支撑挡板主体,使得挡板主体与端面相对,并且支撑构件将挡板主体支撑为使得保持端面与挡板主体之间的间隙,并且形成允许流出凹部的流体流动的流路。
在本发明的优选模式中,挡板还可以包括间隙保持部,该间隙保持部保持端面与挡板主体之间的间隙。
在本发明的另外优选模式中,支撑构件可以包括爪部,该爪部钩在主体的表面上,表面与端面相对,间隙保持部和爪部可以将主体保持在其间,并且间隙保持部可以形成流路。
在本发明的另外优选模式中,挡板主体可以包括:开口,该开口形成在挡板主体的中心部处,确定一部分已经进入开口的构件的位置;和孔,该孔形成在开口周围,使得附接到流体流形成体的挡板与凹部相对。
在本发明的另外优选模式中,支撑构件可以通过使用支撑构件的弹性力附接到主体。
本发明的有益效果
本发明提供一种包括挡板主体的挡板,该挡板主体以可移除的方式附接到形成旋流或径向流的流体流形成体,该旋流或径向流生成向构件施加抽吸的负压。
附图说明
图1是抽吸装置10的示例的立体图。
图2是如从不同角度看到的抽吸装置10的另一个立体图。
图3是抽吸装置10的分解立体图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈莫技术股份有限公司,未经哈莫技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780009951.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





