[发明专利]化合物及发光材料

说明书

本发明提供具有高发光强度的具有钙钛矿结构的化合物及包含上述化合物的发光材料。一种具有钙钛矿型晶体结构的化合物，其以A、B、X及M作为成分，M的量除以M及B的合计量的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。(A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的1价阳离子。B为铅离子。M是在钙钛矿型晶体结构中将B的一部分置换的2价或3价的金属离子，且是选自六配位时的离子半径为以上且以下的金属离子中的阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，且为选自Cl^‑、Br^‑、F^‑、I^‑及SCN^‑中的1种以上的离子，作为X，至少包含氯化物离子或溴化物离子)。

技术领域

本发明涉及化合物及发光材料。

本申请基于2016年2月19日在日本提出的日本特愿2016-30201号及2016年6月24日在日本提出的日本特愿2016-126043号而主张优先权，并将其内容援引于此。

背景技术

一直以来，已知包含有机物的阳离子(A)、卤化物离子(X)、及2价的金属离子(M)的有机一无机钙钛矿AMX₃化合物。近年来，对于如下化合物的导电性及发光特性的关心正在提高，该化合物具有在金属离子的位置(M)处具有IV族元素(Ge、Sn及Pb)的离子的钙钛矿结构。

尤其是，在上述2价的金属离子为Pb(II)的情况下，在紫外区域至红色的光谱区域的范围中，可观察到室温下的强发光现象(非专利文献1)。另外，也能够根据卤化物离子(X)的种类来调整发光波长(非专利文献2)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：M.Era，A.Shimizu and M.Nagano，Rep.Prog.Polym.Phys.Jpn.，42，473-474(1999)

非专利文献2：L.Protesescu，S.Yakunin，M.I.Bodnarchuk，F.Krieg，R.Caputo，C.H.Hendon，R.X.Yang，A.Walsh，and M.V.Kovalenko，Nano Letter.15，3692-3696(2015)

发明内容

发明要解决的课题

然而，在将上述非专利文献1或2中记载那样的具有钙钛矿结构的化合物作为发光材料而进行产业应用时，谋求上述化合物的发光强度的进一步提高。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供在作为发光材料使用时具有高发光强度的具有钙钛矿结构的化合物及包含上述化合物的发光材料。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明人等进行了深入研究，结果完成了以下的本发明。

即，本发明的实施方式包含下述[1]～[6]的发明。

[1]一种具有钙钛矿型晶体结构的化合物，其以A、B、X及M作为成分，M的量除以M及B的合计量的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。

(A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的1价阳离子。

B为铅离子。

M是2价或3价的金属离子，且是选自六配位时的离子半径为以上且以下的金属离子中的阳离子，M的至少一部分在上述钙钛矿型晶体结构中置换B的一部分。

X表示在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，且为选自氯化物离子、溴化物离子、氟化物离子、碘化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上的离子，作为上述X，至少包含氯化物离子或溴化物离子。)