[发明专利]频率选择限制器

权利要求书

1.一种频率选择限制器，包括：

具有相反的第一表面和第二表面的第一层介电材料；

具有相反的第一表面和第二表面的第一层磁性材料，所述第一层介电材料的所述第二表面设置在所述第一层磁性材料的所述第一表面上，所述介电材料具有比所述磁性材料低的相对电容率；

具有相反的第一表面和第二表面的第二层介电材料；

具有相反的第一表面和第二表面的第二层磁性材料，所述第二层介电材料的所述第一表面设置在所述第二层磁性材料的所述第二表面上；以及

设置在所述第一层磁性材料和所述第二层磁性材料之间的带状导体；

第一接地平面和第二接地平面，所述第一接地平面设置在所述第一层介电材料的所述第一表面上，所述第二接地平面设置在所述第二层介电材料的所述第二表面上；

设置在所述第一层介电材料和所述第一层磁性材料之间的第一组导电垫以及设置在所述第二层介电材料和所述第二层磁性材料之间的第二组导电垫；以及

设置在所述第一层介电材料内的第一组通孔以及设置在所述第二层介电材料内的第二组通孔；

所述第一层介电材料和所述第二层介电材料与所述第一层磁性材料和所述第二层磁性材料的组合包括具有输入阻抗Z₀的慢波结构，当电磁能传播通过所述慢波结构时，阻抗周期性地从大于Z₀的阻抗变为小于Z₀的阻抗。

2.根据权利要求1所述的频率选择限制器，其特征在于，所述第一组通孔将所述第一接地平面联接至所述第一组导电垫并且所述第二组通孔将所述第二接地平面联接至所述第二组导电垫，以在所述慢波结构内形成低阻抗带状线部段和高阻抗带状线部段的交替部段。

3.根据权利要求2所述的频率选择限制器，其特征在于，所述低阻抗带状线部段和高阻抗带状线部段的交替部段耦合传播通过所述慢波结构的磁能并使其进入到所述第一层磁性材料和所述第二层磁性材料中，所述磁能具有高于预定功率阈值的功率电平。

4.根据权利要求1所述的频率选择限制器，其特征在于，所述频率选择限制器包括具有输入阻抗Z₀的传输线，所述传输线包括设置在一对第二传输线部段之间的第一传输线部段，所述第一传输线部段具有高于Z₀的阻抗Z_H，所述一对第二传输线部段具有低于Z₀的阻抗Z_L，所述第一传输线部段包括所述带状导体的多个部分以及所述第一层磁性材料或所述第二层磁性材料的多个部分，所述一对第二传输线部段包括所述带状导体的多个部分、所述第一层磁性材料或所述第二层磁性材料的多个部分以及所述第一层介电材料或所述第二层介电材料的多个部分。

5.根据权利要求4所述的频率选择限制器，其特征在于，所述第一传输线部段和所述一对第二传输线部段各自具有比传播通过所述慢波结构的电磁能的标称工作波长短的长度。

6.一种频率选择限制器，包括：

磁性材料，所述磁性材料用于将由传播通过慢波结构的电磁能产生的磁场磁耦合到所述磁性材料中；

设置在所述磁性材料上的介电层，所述介电层具有比所述磁性材料低的相对电容率；

设置在所述介电层的第一表面上的接地平面；

设置在所述介电层和所述磁性材料之间的一组导电垫；

设置在所述介电层内的一组通孔，所述一组通孔将所述接地平面联接至所述一组导电垫，以在所述慢波结构内形成低阻抗微带部段和高阻抗微带部段的交替部段；以及

所述慢波结构的输入阻抗为Z₀，当所述电磁能传播通过所述慢波结构时，所述低阻抗微带部段和高阻抗微带部段的交替部段周期性地从大于Z₀的阻抗变为小于Z₀的阻抗。

7.根据权利要求6所述的频率选择限制器，其特征在于，所述低阻抗微带部段和高阻抗微带部段的交替部段耦合传播通过所述慢波结构的所述电磁能并使其进入到所述磁性材料中，所述电磁能具有高于预定功率阈值的功率电平。