[发明专利]在发光成像中使用的基于光子超晶格的设备和组成物及其使用方法有效
| 申请号: | 201780005281.1 | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN108474744B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 迪特里希·德林格;程·弗兰克·钟;尤拉伊·托波兰希克 | 申请(专利权)人: | 伊鲁米那股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N21/77;B01L3/00;G01N21/03;G01N21/25 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陆建萍;杨明钊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长 超晶格 光子 第一材料 发光体 折射率 主表面 冷光 第二材料 发光成像 光学部件 彼此分离 发射 非传播 组成物 传播 | ||
1.一种用于在发光成像中使用的设备,所述设备包括:
光子超晶格,其包括第一材料,
所述第一材料具有第一折射率,
所述第一材料包括第一主表面和第二主表面以及仍然所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个限定的第一多个特征和第二多个特征,
所述第一多个特征中的特征在至少一个特性上不同于所述第二多个特征中的特征;以及
所述光子超晶格支持大约以第一角度从所述光子超晶格出来的第一波长和第二波长的传播,所述第一波长和所述第二波长由不选择性地以所述第一角度从所述光子超晶格传播出的第一非传播波长从彼此分离;
第二材料,其具有不同于所述第一折射率的第二折射率,
所述第二材料布置在所述第一多个特征和所述第二多个特征之内、之间或之上,并且包括第一发光体和第二发光体;以及
第一光学部件,其布置在所述第一材料的所述第一主表面和所述第二主表面之一上,
所述第一光学部件接收由所述第一发光体大约以所述第一角度发射的在所述第一波长处的冷光,以及
所述第一光学部件接收由所述第二发光体大约以所述第一角度发射的在所述第二波长处的冷光。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一多个特征和所述第二多个特征分别包括第一多个井和第二多个井。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二材料还包括第三发光体和第四发光体,
所述光子超晶格还支持大约以所述第一角度从所述光子超晶格出来的第三波长和第四波长的传播,所述第三波长和所述第四波长由不选择性地以所述第一角度传播的第二非传播波长从彼此分离,
所述光学部件接收由所述第三发光体大约以所述第一角度发射的在所述第三波长处的冷光,以及
所述光学部件接收由所述第四发光体大约以所述第一角度发射的在所述第四波长处的冷光。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一发光体耦合到第一核酸,所述第二发光体耦合到不同于所述第一核酸的第二核酸,所述第三发光体耦合到不同于所述第一核酸和所述第二核酸的第三核酸,以及所述第四发光体耦合到不同于所述第一核酸、所述第二核酸和所述第三核酸的第四核酸。
5.根据权利要求1所述的设备,包括被配置成大约以第二角度将辐射发送到所述光子超晶格的第二光学部件,
所述第一发光体响应于由所述第二光学部件发送的所述辐射而发射所述第一波长,以及
所述第二发光体响应于由所述第二光学部件发送的所述辐射而发射所述第二波长。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第二角度与所述第一角度大约相同或其中所述第二角度近似正交于所述第一角度。
7.根据权利要求5所述的设备,其中所述第一光学部件布置在所述第一材料的所述第一主表面上,并且其中所述第二光学部件布置在所述第一材料的所述第二主表面上。
8.根据权利要求5所述的设备,还包括被配置成产生由所述第二光学部件发送到所述光子超晶格的辐射的宽带激发源。
9.根据权利要求1所述的设备,还包括至少一个微流体特征,所述至少一个微流体特征与所述光子超晶格接触并且被配置为向所述第一多个特征和所述第二多个特征提供一种或多种分析物的流。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一光学部件包括被配置成对接收到的第一波长和第二波长成像的图像传感器。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一材料包括聚合物或玻璃,和/或其中所述第二材料包括流体或凝胶。
12.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一发光体耦合到待测序的第一多核苷酸,以及所述第二发光体耦合到待测序的第二多核苷酸。
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