[实用新型]一种双向低压ESD倒装二极管有效
| 申请号： | 201721904253.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN208240680U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 那雪梅;杨敏红;刘韵吉 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211113 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 阴极 阳极 倒装 反向击穿电压 正向击穿电压 二极管结构 正反向电压 低压状态 倒装焊 电性能 输出端 输入端 有效地 互连 减小 集成电路 匹配 对称 芯片 保证 | ||
1.一种双向低压ESD倒装二极管，其特征是器件设有两个相同的二极管，第一个二极管的阳极与第二个二极管的阴极相连作为器件的输入端，第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极相连作为器件的输出端。
2.根据权利要求1所述的双向低压ESD倒装二极管，其特征是器件包括p+衬底层（1），设在p+衬底层上的n+外延层（2）以及设在制备两个并列的二极管；每个二极管的结构是，n+外延层上设有n-外延层（3），在n-外延层（3）上设有p+基区（6），在p+基区（6）上设有n+发射区（7）；以及在n+外延层（2）上设有穿通n-外延层（3）且位于n+发射区（7）、p+基区（6）一侧的n+扩散区（5）；设有周边与中央隔离沟槽（4），周边隔离沟槽位于n+发射区、p+基区、n-外延层和n+扩散区的外围，且穿透n+外延层2并延伸至硅片p+衬底；中央隔离沟槽位于两二极管之间亦穿透n+外延层（2）并延伸至硅片p+衬底；n+发射区（7）及 n+扩散区(5)上引出金属，即n+发射区上的金属阳极（9-1）和n+扩散区上的金属阴极（9），金属阳极（9-1）和金属阴极（9）周围的硅片表面钝化层（8）为二氧化硅层，金属阳极和阴极上设有钝化层（10）。
3.根据权利要求2所述的一种双向低压ESD倒装二极管结构，其特征在于：所述n+外延层厚度为3um-15um，n-外延层厚度为6um-15um；n-外延层电阻率在10.0 ohm.cm至100.0ohm.cm；所述的二极管结构具有实质上低电容，达到1-10pF的级别。
4.根据权利要求2所述的一种双向低压ESD倒装二极管结构，其特征在于：n+外延层（2）、n-外延层（3）、p+基区（6）、n+发射区（7）构成低压二极管，击穿电压小于5V且为硬击穿，漏电为nA级别。
5.根据权利要求2所述的一种双向低压ESD倒装二极管结构，其特征在于：n+扩散区（5）的浓度与n+外延层（2）的浓度相当，器件工作时不会引入额外的电阻和正向压降。
6.根据权利要求2所述的一种双向低压ESD倒装二极管结构，其特征在于：位于两个二极管（100、200）中间的隔离沟槽的宽度为1-5um，深度为15-30um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
