[实用新型]一种用于离子蚀刻的设备及其承载盘有效
| 申请号： | 201721813633.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207752963U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李瑞;邓有财;邱树添;张家豪;马贺 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子蚀刻 承载盘 盘面 凸起 第一表面 本实用新型 第二表面 使用寿命 对盘 晶圆 套在 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于离子蚀刻的承载盘，其包括：
盘面，盘面具有第一表面和第二表面，
位于盘面第一表面的数个凸起，凸起用于为待离子蚀刻的晶圆提供定位，晶圆位置限定在凸起之间，凸起表面具有保护层。
2.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：保护层为套在凸起外表面的可以更换的保护套。
3.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：凸起与盘面一体成型。
4.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：凸起的材料为SiC。
5.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：凸起高度为0.8±0.1 mm。
6.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：凸起为圆形，凸起直径为3±0.1 mm。
7.根据权利要求1所述的一种用于离子蚀刻的承载盘，其特征在于：保护层的材料为石英或者陶瓷。
8.一种用于离子蚀刻的设备，包括权利要求1~7中任意一项中所述的承载盘。
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