[实用新型]一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构有效
| 申请号: | 201721799528.5 | 申请日: | 2017-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN207834320U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 杨永平 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 272000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 焊接层 传导 互联条 电流收集层 受光 焊接 主栅结构 硅太阳能电池 正面电极 成组件 串焊 种晶 常规太阳能电池 太阳能电池 高低位差 散热效果 上下两层 凸起疤痕 组件功率 电池片 侧端 焊带 主栅 下层 悬空 电池 上层 保留 | ||
一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构,所述主栅结构包括上下两层,下层为电流收集层,上层为传导焊接层,所述传导焊接层的高度为电流收集层的至少2倍,所述传导焊接层与电流收集层部分接触,所述传导焊接层用于电池片之间互联条的焊接,互联条与传导焊接层接触的侧端悬空,增加焊接时的散热效果从而减少互联条凸起疤痕的产生,增加组件功率,与常规太阳能电池相比,电池的受光面积相同,串焊成组件后,在焊带拉力相同的情况下,可显著增加组件的受光面积;电流收集层呈现高低位差,在串焊成组件时,互联条与传导焊接层部分焊接,互联条下面未焊接的部分仍可以接受光线,这样就可以将高受光主栅太阳能电池的受光优势予以保留。
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池制作领域,具体涉及一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构。
背景技术
常规金属栅线电极的主栅线既起收集电流的作用,同时也是与焊带连接的金属焊接点。为了减少晶硅太阳能电池表面的遮光面积,常规做法是改变主栅线的形状或采用镂空、分段等方式减少金属栅线的遮光面积,提高太阳能电池的光利用率,从而提高太阳能电池的光电转换效率。但是这种新型的高受光主栅太阳能电池在做成组件时,在串焊工序中互联条会将主栅线完全遮蔽,新增的受光区由于互联条的遮挡无法接收太阳光线,因此这种新型的主栅结构在做成组件时无法发挥其应有的作用;另外,现有结构主栅结构容易出现散热不均匀,产生热量囤积,造成互联条在焊接时极易出现凸起疤痕,导致组件功率下降。
发明内容
为解决上述缺陷,本发明提供一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构,该主栅结构分为上下两层,下面一层为电流收集层,形状为连续分段式或镂空式主栅,用来收集太阳能电池产生的电流;上面一层为传导焊接层,由均匀分布在电流收集层上的数个小金属单元组成,与电流收集层部分接触,与电流收集层接触的部分,其形状与对应位置的电流收集层相同,这样在不增加栅线遮光面积的同时,使主栅呈现高低位差,在串焊成组件时,互联条仅与主栅的传导焊接层接触,互联条未接触的部分下面仍可以接受光线,从而提高太阳能电池组件的受光面积,进而提高组件的光电转换效率和输出功率;在焊接互联条时,互联条仅与传导焊接层接触,由于传导焊接层位于电流收集层上方,因此,互联条与传导焊接层接触的侧端悬空,增加焊接时的散热效果从而减少互联条凸起疤痕的产生,增加组件功率。
一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构,所述主栅结构包括上下两层,下层为电流收集层,上层为传导焊接层,所述传导焊接层的高度为电流收集层的至少2倍,所述传导焊接层与电流收集层部分接触,所述传导焊接层用于电池片之间互联条的焊接。
优选的,所述电流收集层形状为连续分段式或镂空式,并与副栅相连,用来收集太阳能电池产生的电流。
优选的,所述传导焊接层与电流收集层接触的部分,其形状与接触位置的电流收集层形状相同。
优选的,所述传导焊接层的高度为电流收集层高度的2~4倍
优选的,所述电流收集层的材质为金属银、银合金的至少一种。
优选的,所述传导焊接层材质为金属银、银合金、金属铝、铝合金、金属铜、铜合金中的至少一种。
一种晶硅太阳能电池正面电极电极主栅结构的印刷方法,包括制绒、扩散、刻蚀和PECVD镀膜、印刷背面电极和背场及印刷正面电极副栅线工艺,还包括以下工艺:
印刷正面电极电流收集层,所述电流收集层的材质为金属银、银合金的至少一种;
将电池片进行烘干;
在电流收集层上方的部分位置规则印刷相同形状的传导焊接层,所述传导焊接层的高度为电流收集层高度的2~4倍;
电池片烧结;
电池片之间通过在传导焊接层上方焊接互联条进行连通。
优选的,所述电流收集层为为规则菱形串联或工字型串联栅或线状结构中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





