[实用新型]芯片封装结构及三极管有效
| 申请号: | 201721798879.4 | 申请日: | 2017-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN207925446U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
| 发明(设计)人: | 苏健泉;曾繁川;戴威亮 | 申请(专利权)人: | 广州飞虹友益电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈思泽 |
| 地址: | 510730 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 包覆 芯片 隔离层 外壁 芯片封装结构 涂覆 芯板 侧壁 本实用新型 保护芯片 高湿环境 隔离层涂 绝缘处理 杂质渗透 三极管 载芯板 承压 固设 离子 | ||
本实用新型公开一种芯片封装结构,包括:载芯板;芯片,所述芯片固设于所述载芯板的承压面上;隔离层,所述隔离层涂覆或包覆在所述芯片的所有侧壁上;及,绝缘层,所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上。上述芯片封装结构在使用时,所述芯片的侧壁上包覆或涂覆有隔离层,避免了在高温或高湿环境下,绝缘层中的离子或者杂质渗透至芯片,所述绝缘层包覆在所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上,一方面可以达到对所述芯片绝缘处理的目的,另一方面可以保护芯片不被破坏。
技术领域
本实用新型涉及半导体元器件领域,特别是涉及一种芯片封装结构及三极管。
背景技术
半导体元器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换,作为半导体元器件的一份子的芯片,一般需要对其进行封装后使用。然而,普通芯片封装结构在高温或高湿等恶劣环境下的可靠性能并不理想,制约半导体元器件封装结构的应用。
发明内容
基于此,本实用新型提出一种芯片封装结构及三极管,解决了普通芯片元器件封装结构在高温或高湿等恶劣环境下的可靠性能并不理想的问题。
具体技术方案如下:
一种芯片封装结构,包括:
载芯板;
芯片,所述芯片固设于所述载芯板的承压面上;
隔离层,所述隔离层涂覆或包覆在所述芯片的所有侧壁上;及
绝缘层,所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上。
上述芯片封装结构在使用时,所述芯片的侧壁上包覆或涂覆有隔离层,避免了在高温或高湿环境下,绝缘层中的离子或者杂质渗透至所述芯片,所述绝缘层包覆在所述绝缘层涂覆或包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上,一方面可以达到对所述芯片绝缘处理的目的,另一方面可以保护芯片不被破坏。
在其中一个实施例中,所述绝缘层与所述隔离层之间设有第一伸缩间隙。当温度变化较大,引起所述绝缘层发生热胀冷缩现象,所述绝缘层与所述隔离层之间设置所述第一伸缩间隙可以减少所述绝缘层的内应力。
在其中一个实施例中,所述隔离层与所述芯片设有第二伸缩间隙。当温度变化较大,引起所述隔离层发生热胀冷缩现象,所述隔离层与所述芯片之间设置所述第二伸缩间隙可以减少所述隔离层的内应力。
在其中一个实施例中,所述芯片为氮化镓芯片或碳化硅芯片。所述氮化镓芯片或所述碳化硅芯片可以承受较高的温度。
在其中一个实施例中,所述绝缘层为塑封料。通过所述塑封技术将所述塑封料包覆在所述隔离层的外壁及所述载芯板的外壁上。
在其中一个实施例中,所述隔离层为硅胶层。通过所述硅胶层的隔离作用,避免外部水汽通过绝缘层的缝隙渗透到芯片,利用所述硅胶层的软质特性,在温度升高时,所述硅胶层能够吸收所述芯片与所述绝缘层的应力,从而起到缓冲的作用。
一种三极管,包括芯片封装结构及引脚组件,所述引脚组件与所述芯片封装结构连接。
由于上述所述三极管包括上述涉及的芯片封装结构,因此,所述三极管在使用时,特别是在高温或高湿环境下使用,所述芯片与所述绝缘层之间不容易出现离子渗透,提高了所述三极管使用的稳定性和可靠性。
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