[实用新型]日盲紫外单光子源有效
| 申请号： | 201721793763.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207691196U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 本实用新型 紫外单光子 单量子点 衬底 禁带 可用 嵌埋 日盲 半导体材料 宽禁带半导体 单光子发射 量子阱结构 保密通信 单光子源 发射波长 精密测量 量子成像 量子计算 量子认证 量子限制 量子信息 日盲波段 发射 本征层 电泵浦 光泵浦 光子源 近距离 宽禁带 纳米线 薄膜 量子 平行 垂直 激发 应用 | ||
1.日盲紫外单光子源，其特征在于：包括衬底及衬底上的量子点嵌埋pin纳米线，所述量子点嵌埋pin纳米线包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成，所述宽禁带半导体p型层、n型层分别位于i型本征层的两侧，单量子点嵌埋于i型本征层内；在量子点嵌埋pin纳米线的两端分别是p型电极和n型电极。
2.日盲紫外单光子源，其特征在于：包括衬底及衬底上的量子点嵌埋pin纳米线，所述量子点嵌埋pin薄膜包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成，所述宽禁带半导体p型层、n型层分别位于i型本征层的两侧，单量子点嵌埋于i型本征层内；所述量子点嵌埋pin薄膜的上下层分别是p型电极和n型电极。
3.根据权利要求1或2所述的日盲紫外单光子源，其特征在于：所述衬底的材质采用绝缘体、半导体或金属。
4.根据权利要求1或2所述的日盲紫外单光子源，其特征在于：所述宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层采用的半导体材料的宽带大于4.43 eV，对应的发射波长小于280 nm。
5.根据权利要求4所述的日盲紫外单光子源，其特征在于：所述半导体材料的类型采用AlGaN、InAlN、InAlGaN、AlN、BN、Ga2O3、ZnMgO、MgO、ZnBeO、MgS、BeS或金刚石。
6.根据权利要求1或2所述日盲紫外单光子源，其特征在于：所述宽禁带半导体p型层、i型本征层和n型层均采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，形成用以对单量子点的量子限制的类量子阱结构。
7.根据权利要求1或2所述日盲紫外单光子源，其特征在于：所述单量子点的尺寸小于或等于构成单量子点的半导体材料中的激子波尔半径，以产生量子限制效应，形成分立能级。
8.根据权利要求1或2所述日盲紫外单光子源，其特征在于：所述量子点嵌埋pin纳米线垂直竖立于衬底上，发光方向垂直于衬底的。
9.根据权利要求1或2所述日盲紫外单光子源，其特征在于：所述量子点嵌埋pin纳米线是平躺位于衬底上，发光方向是平行于衬底的。
10.根据权利要求1或2所述日盲紫外单光子源，其特征在于：所述的p型电极和n型电极采用金属、类金属薄膜或透明导电膜，p型电极和n型电极分别与宽禁带半导体p型层、n型层形成欧姆接触，实现电注入。
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