[实用新型]一种宽电压智能假负载

权利要求书

1.一种宽电压智能假负载，其特征在于：包括电流检测电路系统、电流控制系统、负载功率匹配电路系统和运算比较器U3；所述电流检测电路系统连接在外部电源输入端与外部电源输出端之间，电流检测电路系统与运算比较器U3的正相位连接；所述电流控制系统的一端与外部电源输入端连接，电流控制系统的另一端运算比较器U3的负相位连接；所述负载功率匹配系统的一端与外部电源的输入端连接，负载功率匹配系统的另一端与运算放大器的输出端连接。

2.如权利要求1所述的一种宽电压智能假负载，其特征在于：所述电流检测电路系统包括电流测器U2，电流测器U2的型号为ZXCT1082，电流测器U2的第一引脚通过电阻R16接地，电流测器U2的第二引脚通过电阻R15与所述运算比较器U3的正相位连接，电流测器U2的第三引脚通过电阻R7与外部电源输入端连接，电流测器U2的第四引脚通过电阻R8与外部电源输出端连接，电流测器U2的第五引脚通过电阻R9与外部电源输入端连接；电阻R6和电阻R26并联在外部电源输入端与外部电源输出端之间。

3.如权利要求1所述的一种宽电压智能假负载，其特征在于：所述电流控制系统包括恒功率输入驱动U1、肖特基二极管D1、整流二极管D2、稳压二极管DZ1、电感LR1和极性电容E1；恒功率输入驱动U1的型号为RT8471，恒功率输入驱动U1的第一引脚与肖特基二极管D1的正极连接，肖特基二极管D1的负极与外部电源输入端连接，恒功率输入驱动U1的第二引脚与极性电容E1的负极连接，极性电容E1的正极与外部电源输入端连接，电容C1与电容C2并联在极性电容E1的两端，恒功率输入驱动U1的第三引脚通过电容C4与恒功率输入驱动U1的第二引脚连接，恒功率输入驱动U1的第四引脚与稳压二极管DZ1的负极连接，稳压二极管DZ1的正极通过电感LR1与恒功率输入驱动U1的第一引脚连接，电阻R2和电感C3并联与稳压二极管DZ1并联，恒功率输入驱动U1的第五引脚与外部电源输入端连接，恒功率输入驱动U1的第四引脚和第五引脚之间设有电阻R1；整流二极管D2的正极与恒功率输入驱动U1的第二引脚连接，整流二极管D2的负极通过电阻R3与运算比较器U3的负相位连接，整流二极管的负极通过并联的电阻R4和电阻R5接地。

4.如权利要求1所述的一种宽电压智能假负载，其特征在于：所述负载功率匹配电路系统包括MOS管Q1、MOS管Q2、N型三极管Q3、MOS管Q4、N型三极管Q5、N型三极管Q6、整流二极管Z1、整流二极管Z2、整流二极管Z3、二极管D4、稳压二极管DZ2、负载电阻RZ1和负载电阻RZ2；所述MOS管Q1的源极与外部电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极连接，MOS管的栅极通过电阻R19与N型三极管Q5的集电极连接；MOS管Q2的漏极通过负载电阻RZ2接地，MOS管Q2的栅极通过电阻R17与N型三极管Q3的集电极连接；N型三极管Q3的基极通过电阻R20与N型三极管Q6的集电极连接，N型三极管Q3的发射极接地；MOS管Q4的源极接地，MOS管Q4的漏极与二极管D4的正极连接，MOS管Q4的栅极通过电阻R23与N型三极管Q6的集电极连接；N型三极管Q5的基极通过电阻R18与运算比较器U3的输出端连接，N型三极管Q5的发射极接地；N型三极管Q6的基极与稳压二极管DZ2的正极连接，N型三极管Q6的集电极通过电阻R13与MOS管Q1的漏极连接，N型三极管Q6的发射极接地；整流二极管Z1的正极与MOS管Q2的栅极连接，整流二极管Z1的负极与MOS管Q2的源极连接，电阻R14与整流二极管Z1并联；整流二极管Z2的正极与MOS管Q1的栅极连接，整流二极管Z2的负极与MOS管Q1的源极连接，电阻R11与整流二极管Z2并联；整流二极管Z3的正极接地，整流二极管Z3的负极与MOS管Q4的栅极连接，电阻R24与整流二极管Z3并联；二极管D4的负极与MOS管Q2的漏极连接；稳压二极管DZ2的负极通过电阻R12与MOS管Q1的漏极连接；负载电阻RZ1的一端与二极管D4的正极连接，负载电阻RZ1的另一端与MOS管Q1的漏极连接。

5.如权利要求1所述的一种宽电压智能假负载，其特征在于：所述运算比较器U3的VCC端通过电阻R10与运算比较器U3的输出端连接。

6.如权利要求1至5所述的任何一种宽电压智能假负载，其特征在于：所述外部电源输入端与宽电压智能假负载之间设有二极管D3，二极管D3的正极与外部电源输入端连接，二极管D3的负极与宽电压智能假负载连接；二极管D3的负极通过双向二极管接地。