[实用新型]异质结太阳能电池有效
| 申请号: | 201721642375.3 | 申请日: | 2017-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN207441731U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
| 发明(设计)人: | 杨苗;郁操;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;江怀勤 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 本征非晶硅层 晶硅基 异质结太阳能电池 本实用新型 负电极 正电极 光电转化效率 正极 串联电阻 电池芯片 反面设置 正面设置 负极 正反面 焊带 减小 串联 | ||
本实用新型公开了一种异质结太阳能电池,其包括晶硅基底,晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层;第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层;第一N型非晶硅层上设置有第一负电极,第一P型非晶硅层上设置有第一正电极;晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层;第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层;第二N型非晶硅层上设置有第二负电极,第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。本实用新型提供的异质结太阳能电池,通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极,使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联,减小了串联电阻,提升了光电转化效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池。
背景技术
硅基异质结太阳能电池具有优异的发电性能,现有硅基异质结太阳能电池通常由多个电池芯片串联组成,而相邻电池芯片之间则通过焊带实现串联。但是,由于现有电池芯片上的正负极分别设置在电池芯片的正面和反面,当相邻两个电池芯片排列后,一个电池芯片的正极处于电池芯片的上方,另一个电池芯片的负极处于电池芯片的下方,当需要通过焊带串联两个电池芯片时,焊带的一端需要与一个电池芯片的正极连接,而焊带的另一端需要与电池芯片的负极连接,那么焊带在两个电池芯片之间的位置必然会发生弯折,容易造成电池芯片的破损;而为了能够连接两个电池芯片上相反的两极,焊带的尺寸要求较长,这无疑增加了焊带的电阻,导致组装后的异质结太阳能电池的发电能力减弱。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种异质结太阳能电池,以解决上述现有技术中的问题,提高光伏组件的转化效率。
本实用新型提供了一种异质结太阳能电池,其中,包括:
晶硅基底;
所述晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层;
所述第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层;所述第一N型非晶硅层上设置有第一负电极,所述第一P型非晶硅层上设置有第一正电极;
所述晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层;
所述第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层;所述第二N型非晶硅层上设置有第二负电极,所述第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,还包括:
分别设置在所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层上的第一透明导电层;
分别设置在所述第二N型非晶硅层和所述第二P型非晶硅层上的第二透明导电层;
所述第一负电极和所述第一正电极均设置在所述第一透明导电层上;
所述第二负电极和所述第二正电极均设置在所述第二透明导电层上。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,所述第一负电极和所述第一正电极之间或所述第二负电极和所述第二正电极之间通过焊带连接。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间绝缘设置;所述第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层之间绝缘设置。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,所述第一N型非晶硅层与所述第二P型非晶硅层在垂直于所述晶硅基底的方向上位置对齐;所述第一P型非晶硅层与所述第二N型非晶硅层在垂直于所述晶硅基底的方向上位置对齐。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极均包括细栅线和主栅线。
如上所述的异质结太阳能电池,其中,优选的是,所述细栅线的直径的范围值为20~60um。
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