[实用新型]一种用于检测气体成分的传感器

权利要求书

1.一种用于检测气体成分的传感器，其特征在于，包括基底和设置在所述基底表面的、连续的石墨烯层；所述基底包括设置在半导体材料上的电极层，所述电极层包括至少两个相互隔离的电极；所述石墨烯层覆盖在所述电极层和由于所述电极的隔离而露出的基底表面上。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述石墨烯层包括重叠在一起的第一石墨烯层和第二石墨烯层；所述第一石墨烯层通过化学气相沉淀法得到，所述第二石墨烯层是在所述第一石墨烯层上再次通过化学气相沉淀法得到并通过真空和高温处理使得所述第一石墨烯层和第二石墨烯层组合而得到所述石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述石墨烯层通过所述真空和高温处理而吸附在所述基底表面。

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述石墨烯层的厚度包括0.8-3nm。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的传感器，其特征在于，所述基底包括硅衬底层、氧化硅层和电极层；所述氧化硅层设置在所述硅衬底层上，所述电极层设置在所述氧化硅层上。

6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述电极层包括两个分别设置在所述氧化硅层表面的铬电极，两个所述电极分别设置在所述氧化硅层表面上相对的两个侧边上。

7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，两个所述电极分别为具有多个叉指的梳状电极，一个电极的相邻两个叉指之间设置有另一个电极的一个叉指。

8.根据权利要求7所述的传感器，其特征在于，一个电极上的多个叉指的长度相同或不相同。

9.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于，所述两个电极的叉指之间或叉指与另一个电极之间的距离包括0.05-0.1毫米。

10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述氧化硅层厚度为300nm，硅衬底层厚度为500um。