[实用新型]一种芯片键合线阻抗匹配装置

说明书

本实用新型公开了一种芯片键合线阻抗匹配装置，包括：信号线、环绕覆盖于信号线外侧的绝缘结构以及环绕覆盖于绝缘结构外周的金属屏蔽结构。本实用新型提供的芯片键合线阻抗匹配装置通过在信号线外环绕覆盖绝缘结构和金属屏蔽结构，从而形成类似同轴线的结构，实现信号线之间的相互屏蔽，保证芯片键合线阻抗匹配装置上高频高速信号的传输。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，尤其涉及一种芯片键合线阻抗匹配装置。

背景技术

目前，对于芯片之间的信号传输，电子系统内部常用的互连传输介质是PCB板，此工艺成熟可靠。但是随着芯片向高速高频发展，尤其是最近几年光通信技术的进步，信号传输速率达到几十Gbps，甚至上百Gbps，而PCB板上的互连线路都是开放或半开放结构，信号线路之间存在相互干扰，在传输高频高速信号时尤为严重，影响电子系统的稳定。这对PCB板的结构带来了极大挑战，普通的PCB板上的芯片键合线阻抗匹配装置已不能满足高频高速的信号传输要求。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种芯片键合线阻抗匹配装置，以解决现有芯片键合线阻抗匹配装置不能满足高频高速信号传输的问题。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一种芯片键合线阻抗匹配装置，包括：信号线、环绕覆盖于所述信号线外侧的绝缘结构以及环绕覆盖于所述绝缘结构外周的金属屏蔽结构。

进一步地，所述绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述信号线固定于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖在所述信号线外且层叠于所述第一绝缘层上。

进一步地，所述金属屏蔽结构包括底部金属层、顶部金属层以及两个侧部金属层，所述第一绝缘层覆盖层叠于所述底部金属层的上方，所述顶部金属层覆盖层叠于所述第二绝缘层的上方，两个所述侧部金属层分别从所述信号线的两侧穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层，且每个所述侧部金属层的两端分别连接所述底部金属层和所述顶部金属层。

进一步地，所述信号线设有至少两个，且各所述信号线间隔分布，每个所述信号线的外周都设有所述绝缘结构和所述金属屏蔽结构。

进一步地，各所述信号线外周的所述底部金属层连为一体。

进一步地，各所述信号线外周的所述顶部金属层连为一体。

进一步地，任意相邻两所述信号线之间共用一个所述侧部金属层。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：通过在芯片键合线阻抗匹配装置的信号线外环绕覆盖绝缘结构和金属屏蔽结构，从而形成类似同轴线的结构，实现信号线之间的相互屏蔽，保证芯片键合线阻抗匹配装置上高频高速信号的传输。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的芯片键合线阻抗匹配装置结构示意图；

图2为图1所示芯片键合线阻抗匹配装置的加工过程中制作信号线后的状态示意图；

图3为图1所示芯片键合线阻抗匹配装置的加工过程中镀制第二绝缘层后的状态示意图；

图4为图1所示芯片键合线阻抗匹配装置的加工过程中制作凹槽后的状态示意图；

图5为图1所示芯片键合线阻抗匹配装置的加工过程中镀制顶部金属层后的状态示意图。

图中：1、信号线；2、绝缘结构；21、第一绝缘层；22、第二绝缘层；3、金属屏蔽结构；31、底部金属层；32、顶部金属层；33、侧部金属层；4、凹槽。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。