[实用新型]全数字IGBT次级谐振中频炉有效
| 申请号: | 201721468570.9 | 申请日: | 2017-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN207716857U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
| 发明(设计)人: | 魏长江;曾永刚 | 申请(专利权)人: | 魏长江;曾永刚 |
| 主分类号: | F27B17/00 | 分类号: | F27B17/00;F27D19/00;H05B6/00;H05B6/02 |
| 代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 高鹏飞 |
| 地址: | 255400 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 逆变回路 本实用新型 谐振 谐振回路 全数字 中频炉 滤波电容模块 隔离变压器 整流桥模块 隔直电容 模块连接 输出母排 输入母排 低污染 电隔离 模块化 驱动板 节能 驱动 | ||
本实用新型公开了一种全数字IGBT次级谐振中频炉,包括逆变回路与谐振回路,其特征是,所述的逆变回路与谐振回路之间设置有隔离变压器。所述的逆变回路包括IGBT模块,IGBT模块通过整流桥模块连接输入母排,通过隔直电容模块连接输出母排;IGBT模块还连接滤波电容模块;IGBT模块通过驱动板进行驱动。本实用新型专利模块化的结构更合理,使用方便,具有电隔离、节能、低污染等优点。
技术领域
本实用新型涉及应用一种中频炉,具体涉及一种全数字IGBT次级谐振中频炉。
背景技术
中频炉广泛应用于各种金属加热领域——透热、熔炼、热处理等。传统中频炉逆变部分采用可控硅器并联谐振,开关器件为可控硅,开关损耗损耗高、效率低;功率调节采用可控硅斩波整流,设备功率因数低、谐波分量大;加热线圈与逆变回路直接相连,加热线圈带高电压,如果炉衬破损工件或氧化皮接触到线圈铜管极易引起操作工人触电,存在安全隐患,且使用寿命低、不易维护。
实用新型内容
根据以上现有技术的不足,本实用新型提供一种可以克服上述缺陷,更加实用的全数字IGBT次级谐振中频炉。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种全数字IGBT次级谐振中频炉,包括逆变回路与谐振回路,其特征是,所述的逆变回路与谐振回路之间设置有隔离变压器。
其中,所述的逆变回路包括IGBT模块,IGBT模块通过整流桥模块连接输入母排,通过隔直电容模块连接输出母排;IGBT模块还连接滤波电容模块;IGBT模块通过驱动板进行驱动。
所述的IGBT模块为两个,多个滤波整容模块并联安装在两个IGBT模块之间。
还包括水冷散热器;水冷散热器安装在安装板正面,整流桥模块、IGBT模块、滤波电容模块安装在水冷散热器上;隔直电容模块安装在水冷散热器一侧;驱动板、电源变压器、保护板安装在安装板的背面。
逆变回路的输出母排与变压器初级连接,谐振回路两端与变压器次级连接。
隔离变压器初次级之间进行绝缘处理。
所述的逆变回路相互叠加以构成大功率逆变回路。
所述的保护板检测各模块的散热器温度和振荡电流。
所述的驱动板由主板发送驱动信号来驱动IGBT模块。
本实用新型的有益效果是:模块化的结构更合理,使用方便,具有电隔离、节能、低污染等优点。
附图说明
图1为本实用新型的方框原理图。
具体实施方式
参照说明书附图,本发明通过隔离变压器将逆变回路与谐振回路进行电隔离,逆变回路的输出母排与变压器初级连接,谐振回路两端与变压器次级连接。隔离变压器初次级之间进行绝缘处理。工人操作时即使不小心接触到加热线圈也不会与三相进线电源产生回路,保护了操作工人的安全,消除了使用过程中的安全隐患;加热线圈不需经过绝缘处理更加容易维护延长了使用寿命。由于谐振回路在变压器的次级,可称之为次级谐振。
逆变回路采用英飞凌生产的FF450R12KT4型号IGBT模块作为开关器件,开关速度快、损耗低,比可控硅更加节能。
整流部分采用整流桥模块全波整流,功率因数高、谐波分量小,可以做到低污染。
设备的控制、保护、信号处理可由主板的芯片程序完成,同时可扩展AD、DA、继电器接口,用以完成恒功率、恒电流、恒温度、定时等控制,还可以对功率、电流、温度进行分段控制、曲线控制等智能控制。
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