[实用新型]一种硅片

说明书

本实用新型实施方式涉及硅片技术领域，特别是涉及一种硅片，包括：硅片本体；支撑骨架，该支撑骨架设置于硅片本体的背面。通过上述方式，本实用新型实施方式能够在该硅片本体的背面设有加强骨架，加强骨架用以支撑该硅片，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。

技术领域

本实用新型实施方式涉及硅片技术领域，特别是涉及一种硅片。

背景技术

目前，功率器件内部芯片的发展十分迅速，在集成度、速度、可靠性不断提高的同时，内部芯片正向轻薄短小的方向发展。其中，功率器件内部芯片的基础材料主要为硅片，为了增大芯片产量，降低单元制造的成本，因此要求芯片的基础材料硅片直径更大，厚度更薄更好。硅片制造工艺中十分重要的一步是硅片背面减薄，该步骤的目的是去除硅片背面的多余材料，以实现直径更大，厚度更薄的硅片，基于减薄后硅片的芯片的机械性能与电气性能将得到显著提高。

但是发明人在实现本实用新型的过程中，发现现有技术存在以下技术问题：在现有技术中，当硅片厚度减薄到一定厚度时，就会出现硅片翘曲以及硅片强度降低的现象，导致在减薄的过程中，硅片更加容易变形、破碎，从而大大增加硅片的碎片率。因此，能提供一种厚度薄、强度大和不易翘曲的硅片是尤为重要的。

实用新型内容

本实用新型实施方式主要解决的技术问题是提供一种硅片，该硅片的背面设有加强骨架，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。

为解决上述技术问题，本实用新型实施方式采用的一个技术方案是：提供一种硅片，包括：

硅片本体；

支撑骨架，所述支撑骨架设置于所述硅片本体的背面。

可选的，所述支撑骨架的数量至少为一个，所述支撑骨架呈长条形。

可选的，且所述支撑骨架的横截面为梯形、矩形、三角形或者半圆。

可选的，所述支撑骨架的数量为2，且所述支撑骨架交叉并相互垂直。

可选的，所述硅片本体呈圆形，所述支撑骨架的交点与所述硅片本体的圆心重叠，所述支撑骨架的两端均位于所述硅片本体的边缘上。

可选的，所述支撑骨架的数量为3，且3个所述支撑骨架依次连接组成一三角形，所述三角形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。

可选的，所述支撑骨架的数量为4，且4个所述支撑骨架依次连接组成矩形，所述矩形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。

可选的，所述支撑骨架的数量为4，所述支撑骨架包括第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架，其中，所述第一支撑骨架与第二支撑骨架平行，所述第三支撑骨架和第四支撑骨架平行，所述第一支撑骨架分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第二支撑骨架也分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架的两端均分别位于所述硅片本体的边缘上。

可选的，所述支撑骨架的厚度为220um,所述支撑骨架的宽度为3mm。

可选的，所述硅片本体的厚度为80um。

本实用新型实施方式的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实用新型实施方式的一种硅片，该硅片包括硅片本体和支撑骨架，硅片本体的背面设有加强骨架，加强骨架用以支撑该硅片本体，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。

附图说明

一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施方式的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。