[实用新型]一种硅片有效
| 申请号： | 201721254327.7 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN207517655U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曹俊;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 硅片本体 本实用新型 加强骨架 支撑骨架 背面 硅片技术 翘曲变形 支撑 | ||
1.一种硅片，其特征在于，包括：
硅片本体；
支撑骨架，所述支撑骨架设置于所述硅片本体的背面；
所述支撑骨架的数量至少为一个，所述支撑骨架呈长条形。
2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的横截面为梯形、矩形、三角形或半圆。
3.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的数量为2，且所述支撑骨架交叉并相互垂直。
4.根据权利要求3所述的硅片，其特征在于，
所述硅片本体呈圆形，所述支撑骨架的交点与所述硅片本体的圆心重叠，所述支撑骨架的两端均位于所述硅片本体的边缘上。
5.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的数量为3，且3个所述支撑骨架依次连接组成一三角形，所述三角形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。
6.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的数量为4，且4个所述支撑骨架依次连接组成矩形，所述矩形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。
7.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的数量为4，所述支撑骨架包括第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架，其中，所述第一支撑骨架与第二支撑骨架平行，所述第三支撑骨架和第四支撑骨架平行，所述第一支撑骨架分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第二支撑骨架也分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架的两端均位于所述硅片本体的边缘上。
8.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，
所述支撑骨架的厚度为220um,所述支撑骨架的宽度为3mm。
9.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，
所述硅片本体的厚度为80um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
