[实用新型]一种结合EMI滤波和软启动的电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子设备供电系统领域，具体涉及一种结合EMI滤波的电路及其控制方法。

背景技术

供电系统是各种电子设备中不可缺少的组成部分，随着军用装备的发展和系统集成度的提高，电子设备的工作环境越来越复杂，其中系统内部的EMI噪声和开机浪涌电流带来的影响尤为突出，关系到整机工作性能和使用寿命。通常的解决方法是在设备的输入端增加EMI电源滤波器，这样可以有效滤除EMI噪声，但无法消除开机浪涌电流形成的冲击。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是通过EMI滤波电路与软启动电路相结合，设计出适合高可靠应用场合的电子设备供电部分的入口电路，该电路拓扑结构结构简单，工作稳定可靠，应用效果好，提升了设备的整体可靠性。

本实用新型的技术方案为：

一种结合EMI滤波和软启动的电路，包括EMI滤波电路，滤波电路包括共模滤波电感L1，还包括至少一个软启动电路，所述软启动电路包括MOSFET管V1，MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接；所述软启动电路包括分压电路，分压电路一端与外部输入正端以及所述共模滤波电感L1输入正端连接，另一端与外部输入地相连；所述软启动电路包括启动电容，启动电容两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连；同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与分压电路的两端相连，其中源极接外部输入地相连。

一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述分压电路由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联构成，其中第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连；同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与第二分压电阻R2的两端相连。

一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述软启动电路由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联构成，第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连；

一种结合EMI滤波和软启动的电路，所述EMI滤波电路包括共模滤波电感L1、第一共模滤波电容C4、第二共模滤波电容C5、差模滤波电感L2、差模滤波电容C3； 所述共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，共模滤波电感L1的输出正、负端分别与差模滤波电感L2一端、输出地相连；差模滤波电感L2绕组的两端分别与共模滤波电感L1和输出正端相连；差模滤波电容C3的两端分别与输出正端、输出地相连；第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳。

本实用新型在软启动电路中，第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连，第二分压电阻R2与外部输入地相连。当由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的分压电路的两端与输入电压相接时，在R1与R2的接点处形成的分压与MOSFET管V1的栅极相连，作为MOSFET管V1的开启电压；由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后形成相互冗余并且两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连作为软启动电容，其中源极接外部输入地相连，利用电容的充电效应使MOSFET管V1的栅极电压缓慢上升，导致MOSFET管V1由截止状态缓慢导通，从而起到抑制开机浪涌电流的作用，软启动过程完成后，电阻R3端头的电压达到稳态，MOSFET管V1处于完全导通状态。MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接，当MOSFET管V1导通后，则前后级电路形成通路。

EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连，第一共模滤波电容C4的一端接输出正端，一端接外壳，第二共模滤波电容C5的一端接输出地，一端接外壳，与共模滤波电感L1的两个绕组分别形成两个LC低通滤波器，对主要在电源线与壳上传导的共模EMI噪声进行滤除；而差模滤波电感L2与跨接在电源线上的差模滤波电容C3形成LC低通滤波器，对主要在电源线上传导的差模EMI噪声进行滤除。

综上所述，本实用新型有益效果：

（1）本实用新型一种结合EMI滤波和软启动的电路，位于设备电路的前端，其优点在于从系统供电源头对通过电源线传导的EMI噪声进行滤除，并有效减小开机浪涌电流，最大程度减小了对前后级电路的冲击，提高了设备供电的性能和可靠性。