[实用新型]一种瓦型磁体组件有效
| 申请号: | 201721050160.2 | 申请日: | 2017-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN207038277U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 程文清;吴志坚;代华进 | 申请(专利权)人: | 成都银河磁体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02 |
| 代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 王芸,庞启成 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磁体 组件 | ||
技术领域
本申请涉及磁体应用技术领域,具体涉及一种瓦型磁体组件。
背景技术
磁体广泛运用于各种电器设备中,在涉及磁体使用时,为了防水或防潮的考虑,通常需要在磁体外设置包覆层,而包覆层的设置,必须需要满足将磁体完全包覆,且包覆层需要将磁体完全密封在内,在包覆层上不能存在有缺口或者间隙,否则水或者潮湿气体会由缝隙进入包覆层,汇集在包覆层,进而严重恶化磁体的使用性能和寿命。
为了满足上述的将磁体完全密封在内要求,目前是通过注塑的方式在磁体外裹覆形成一层包覆层,由于注塑过程中,需要对磁体进行定位,在定位处会留下未被浇筑的空隙,需要在后续工序中封堵这些空隙。采用这样的方式,其封闭效果较差,封堵部件与包覆层之间分分体式的结构,当磁体组件运用于常动部件时,例如作为转子组件时,随着使用时间的增长和运转过程中带来的振动,容易在封堵部件与包覆层之间形成间隙,进而降低密封效果,所以目前的磁体组件,其包覆层密封效果并不可靠。
发明内容
本申请的目的在于:针对目前磁体组件存在包覆层密封效果不可靠的不足,提供一种能够可靠的将磁体密封在内的瓦型磁体组件。
为了实现上述发明目的,本申请提供了以下技术方案:
一种瓦型磁体组件,包括磁体,所述磁体上设置有一次注塑体和二次注塑体,所述一次注塑体上设置有第一缺口,所述第一缺口用于第一次注塑过程中定位部件支撑所述磁体,所述一次注塑体上还设置有支撑部,所述支撑部用于第二次注塑过程中定位部件支撑所述一次注塑体,所述二次注塑体包覆于所述磁体和一次注塑体外,所述二次注塑体上设置有第二缺口,所述第二缺口用于第二次注塑过程中定位部件支撑所述一次注塑体。
优选的,所述支撑部为背离所述一次注塑体凸起的凸台。
优选的,所述支撑部上设置有凹陷,所述凹陷与第二次注塑过程中定位部件相配合。
优选的,所述一次注塑体为壳体结构,将所述磁体包覆在内。
优选的,所述一次注塑体的外壁设置有若干凹陷部,所述二次注塑体上设置有与所述凹陷部相配合的凸起部。
优选的,所述一次注塑体的外壁和/或至少一个所述凹陷部上设置有凸块,所述二次注塑体上设置有与所述凸块相配合的凹槽。
优选的,二次注塑体上还包括有安装部,所述安装部与所述瓦型磁体组件安装位置的配合构件相配合。
优选的,所述安装部上还设置有若干的凹槽用于减轻所述瓦型磁体组件重量的第三缺口。
优选的,所述第三缺口内设置有筋板。
优选的,所述一次注塑体与所述二次注塑体材质相同。
优选的,所述磁体为瓦状、环状、筒状、柱状或者球状,或者由瓦状和/或环状和/或筒状和/或柱状和/或球状组合而成的组合体的。
与现有技术相比,本申请的有益效果:
本申请的瓦型磁体组件,由于包括一次注塑体和二次注塑体,通过两次注塑的方式在磁体外形成包覆层,第一次注塑形成的支撑部,用于第二次注塑时与定位部件配合,如此,使磁体完全悬空在第二次注塑模具的注塑腔内,所以,二次注塑体将磁体完全包覆,同时还包覆在一次注塑体上,进而实现对磁体的可靠密封。
附图说明:
图1为本申请的结构示意图;
图2为本申请分体式的结构示意图,
图中标价:1-磁体,2-一次注塑体,3-二次注塑体,4-第一缺口,5-支撑部,6-第二缺口,7-凹陷部,8-凸起部,9-筋板,10-安装部,11-凸块,12-凹槽,13-,14-,15-。
具体实施方式
下面结合试验例及具体实施方式对本申请作进一步的详细描述。但不应将此理解为本申请上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本申请内容所实现的技术均属于本申请的范围。
实施例1,如图1和2所示:
一种瓦型磁体组件,包括磁体1,所述磁体1上设置有一次注塑体2和二次注塑体3,所述一次注塑体2上设置有第一缺口4,所述第一缺口4用于第一次注塑过程中定位部件支撑所述磁体1,所述一次注塑体2上还设置有支撑部5,所述支撑部5用于第二次注塑过程中定位部件支撑所述一次注塑体2,所述二次注塑体3包覆于所述磁体1和一次注塑体2外,所述二次注塑体3上设置有第二缺口6,所述第二缺口6用于第二次注塑过程中定位部件支撑所述一次注塑体2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都银河磁体股份有限公司,未经成都银河磁体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721050160.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





