[实用新型]多层电路板的电磁波屏蔽结构有效
| 申请号: | 201721035769.2 | 申请日: | 2017-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN207305036U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 金根会;李东烨;金证恩 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李英艳,崔炳哲 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 电路板 电磁波 屏蔽 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及多层电路板的电磁波屏蔽结构,尤其是涉及一种能够消减印刷电路板中产生的噪音信号,并改善电磁干扰(Electromagnetic interference,EMI)特性的多层电路板的电磁波屏蔽结构。
背景技术
最近,随着对环境问题的关注日趋增大,用户对环保汽车中电动汽车的量产及普及的期待值也逐渐提高。尤其是,因电动汽车电装部件具有很高的电使用特性,用户对电磁干扰(ElectroMagnetic Interference,EMI)方面的降噪技术的关注度呈增加的趋势。并且,在国内外电动汽车OEM中,逐渐强化对电装部件厂家的EMI噪音等级规范,国际机构也为了消减电装部件的EMI噪音而不断强化限制值。因此,电装部件厂家在越来越严酷的环境下进行电装部件开发。
在电动汽车上安装的电子装置及通信装置中以复合方式包括用于实现相应装置的功能/动作的多种电子回路(模拟电路(analog circuit)和数字电路(digital circuit)),这样的电子回路通常搭载于印刷电路板(PCB,printed circuit board)以执行相应功能。
此时,印刷电路板上搭载的电子回路在大部分情况下其各自的运行频率不同,在以复合方式搭载有多种电子回路的印刷电路板中,通常由基于一个电子回路的工作频率和其谐波(harmonics)成分引起的电磁波(EM wave)传递到其他电子回路而引起噪音问题。
例如,如上所述的电子装置及通信装置因开关元件的开关动作而经由电源线产生对其他电子装置构成影响的传导发射噪音(Conduction Emission,CE)。传导发射噪音由在电源线之间往返的常模噪音(normal mode noise,又称为差模噪音:Differential Mode noise)和传导电源线和接地之间的共模噪音(Common Mode noise)构成。除了如上所述的传导发射噪音以外,还有作为因电磁波向空气中辐射而传导的电磁波噪音的辐射发射噪音(Radiated Emission,RE)。
尤其是,在电动汽车上安装的电子装置的情况下,在电子装置的印刷电路板上搭载有诸如用于汽车的控制器区域网络(controller area network,CAN)通信的电源、12V的主电源、5V的控制电源的多种电源,这样的多种电源诱发多个类型的噪音,并对配置于印刷电路板的电子回路的正常的运行构成坏影响。
因此,在设计印刷电路板时,如何消减所产生的噪音信号并改善EMI(Electromagnetic interference)特性成为需要优先考虑的重要的技术问题。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述的技术问题而提出,本实用新型的目的在于提供一种多层电路板的电磁波屏蔽结构,消减印刷电路板中产生的噪音信号,并能够改善电磁干扰(Electromagnetic interference,EMI)特性。
本实用新型所要解决的技术问题并不限定于以上提及到的技术问题,本领域的技术人员能够通过以下的记载明确理解未被提及的其他技术问题。
本实用新型的多层电路板的电磁波屏蔽结构的优选一实施例包括依次层叠的第一层、第二层、第三层以及第四层,在所述第一层和所述第四层形成有数据线,在所述第二层和所述第三层形成有作为主电源图案的电机输出电源图案,在所述第一层的一部分形成图案,在与所述第一层的一部分在垂直方向上重叠的所述第二层、所述第三层以及所述第四层的对应的部分不形成图案,而是将其进行接地处理。
并且,可利用接地图案围绕与所述第一层的一部分在垂直方向上重叠的所述第二层、所述第三层以及所述第四层的对应的部分的周缘并进行所述接地处理。
并且,在所述第一层中,可将所述主电源图案形成于接地图案之间。
并且,在所述第一层可配置有水晶振荡器(XTAL oscillator),在所述水晶振荡器的下侧不经过图案或者不放置其他元件。
并且,在所述第一层及所述第四层可配置有金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),在与所述金属氧化物半导体场效应管相邻的位置配置有缓冲电容器(snubber capacitor)。
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