[实用新型]多层电路板的电磁波屏蔽结构

权利要求书

1.一种多层电路板的电磁波屏蔽结构，包括依次层叠的第一层、第二层、第三层以及第四层，

在所述第一层和所述第四层形成有数据线，

在所述第二层和所述第三层形成有作为主电源图案的电机输出电源图案，

在所述第一层的一部分形成图案，

在与所述第一层的一部分在垂直方向上重叠的所述第二层、所述第三层以及所述第四层的对应的部分不形成图案，而是将其进行接地处理。

2.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

利用接地图案围绕与所述第一层的一部分在垂直方向上重叠的所述第二层、所述第三层以及所述第四层的对应的部分的周缘并进行所述接地处理。

3.根据权利要求2所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第一层中，将所述主电源图案形成于接地图案之间。

4.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第一层配置有水晶振荡器，

在所述水晶振荡器的下侧不经过图案或者不放置其他元件。

5.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第一层及所述第四层配置有金属氧化物半导体场效应管，

在与所述金属氧化物半导体场效应管相邻的位置配置有缓冲电容器。

6.根据权利要求5所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在与所述第一层及所述第四层的各相的金属氧化物半导体场效应管相邻的位置配置有场效应管和缓冲电容器，将所述金属氧化物半导体场效应管、所述场效应管以及所述缓冲电容器进行接地。

7.根据权利要求5所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

将所述缓冲电容器配置于与所述金属氧化物半导体场效应管相邻的位置，以使所述缓冲电容器和所述金属氧化物半导体场效应管的输入线的长度相同且输出线的宽度相同。

8.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第二层及所述第三层形成有金属氧化物半导体场效应管输入电源图案。

9.根据权利要求5所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第二层及所述第三层配置有致动器，

所述致动器以与所述金属氧化物半导体场效应管的输出端的图案相同的图案宽度的方式形成。

10.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第三层形成有主控制电源图案。

11.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第三层的中心附近的位置形成有模拟检测电源图案，并将所述模拟检测电源的周边进行接地。

12.根据权利要求1所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

在所述第三层的最内侧形成有作为通信用电源的控制器区域网络电源图案。

13.根据权利要求2或3所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

所述接地图案是闭环型接地图案。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的多层电路板的电磁波屏蔽结构，其中，

所述多层电路板的电磁波屏蔽结构安装于车辆用自动驻车控制器组件。