[实用新型]利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及G-M计数管高压隔离电路技术领域，尤其涉及一种利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路。

背景技术

G-M计数管(盖革计数管)是一种辐射探测器，由于具有结构简单、阻抗高、输出信号幅度大、信噪比高等优点，因此得到了广泛应用。在双G-M计数管辐射监测仪表中，两只G-M计数管分别对应不同的量程范围，且两只G-M计数管可以根据剂量率水平进行切换，在低剂量率时使用低量程G-M计数管进行测量而将高量程G-M计数管高压隔离，在高剂量率时使用高量程G-M计数管进行测量而将低量程G-M计数管高压隔离，以避免两只G-M计数管输出互相影响，更重要的是避免低量程G-M计数管因输出过载而失效，以延长其使用寿命。

在实现G-M计数管的隔离和切换使用时，目前常在G-M计数管的高压隔离电路中使用电磁继电器来实现。然而，对于电池供电的便携式辐射监测仪表来说，电磁继电器存在体积重量大、功耗较高以及存在开关噪声干扰等缺点。

发明内容

本实用新型的目的是解决目前的G-M计数管高压隔离电路中使用电磁继电器来对G-M计数管进行高压隔离和切换时，存在体积重量大、功耗较高以及存在开关噪声干扰等缺点的技术问题，提供一种利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路，包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G-M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；

所述限流电阻R1的一端用于与控制端连接且控制端用于输出高电平或低电平，限流电阻R1的另一端与NPN型三极管Q1的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，NPN型三极管Q1的集电极与高压限流电阻R2的一端连接，所述高压限流电阻R2的另一端分别与高压偏置电阻R3的一端和限流电阻R4的一端连接，所述高压偏置电阻R3的另一端分别与高压+HV和PNP型三极管Q2的发射极连接，所述限流电阻R4的另一端与PNP型三极管Q2的基极连接，所述PNP型三极管Q2的集电极与阳极电阻R6的一端连接，所述阳极电阻R6的另一端与G-M计数管GM1的阳极连接，所述阴极电阻R5的一端与G-M计数管GM1的阴极连接，阴极电阻R5的另一端接地。

本实用新型的有益效果是：

通过设置利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路包括NPN型三极管Q1、PNP型三极管Q2及各电阻，来实现G-M计数管的高压隔离和切换，避免了在G-M计数管高压隔离电路中使用电磁继电器的缺点，不仅降低了G-M计数管高压隔离电路的体积、重量及功耗，而且实现了高压的无触点切换。因此，与背景技术相比，本实用新型具有体积小、重量小、功耗低、无触点开关噪声干扰等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本实用新型作进一步地详细描述。

如图1所示，本实施例中的利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路，包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G-M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；所述限流电阻R1的一端用于与控制端连接且控制端用于输出高电平或低电平，限流电阻R1的另一端与NPN型三极管Q1的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，NPN型三极管Q1的集电极与高压限流电阻R2的一端连接，所述高压限流电阻R2的另一端分别与高压偏置电阻R3的一端和限流电阻R4的一端连接，所述高压偏置电阻R3的另一端分别与高压+HV和PNP型三极管Q2的发射极连接，所述限流电阻R4的另一端与PNP型三极管Q2的基极连接，所述PNP型三极管Q2的集电极与阳极电阻R6的一端连接，所述阳极电阻R6的另一端与G-M计数管GM1的阳极连接，所述阴极电阻R5的一端与G-M计数管GM1的阴极连接，阴极电阻R5的另一端接地。