[实用新型]一种OLED基板及显示装置有效
| 申请号: | 201720956094.9 | 申请日: | 2017-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN207116434U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
| 发明(设计)人: | 张玉欣;程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称为OLED)因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点,而被广泛应用于显示领域。
目前,在OLED基板中常用的OLED,主要有顶发光OLED、底发光OLED以及两面发光OLED三种。其中,采用顶发光OLED的OLED基板的结构如图1所示,该OLED基板包括具有显示区域A和外围布线区域B的阵列基板,OLED阵列设置在阵列基板位于显示区域A的表面。OLED的阳极31采用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,简称ITO)材料形成在薄膜晶体管2背离衬底基板1的一侧,且与薄膜晶体管2的漏极连接;OLED的OLED发光层32形成在其阳极31背离薄膜晶体管2的表面;OLED的阴极33采用金属材料形成在OLED发光层32背离阳极31的表面,且OLED的阴极33利用穿过过孔4的电极引线91,与外围布线区域B的信号线5连接。
然而,由于外围布线区域B的信号线5,一般由与显示区域A薄膜晶体管2的源漏极同层制作的金属层形成,当在薄膜晶体管2的源漏极表面层叠形成各膜层,比如钝化层6、平坦层7以及像素界定层8时,这些膜层也将依次层叠形成在信号线5的表面。因此,利用穿过过孔4的电极引线91来实现OLED的阴极33与信号线5的连接时,由于过孔4需要穿透多层膜层,使得过孔4的深度较深,当在过孔4中沉积制作电极引线91时,容易使得电极引线91出现断线的情形,导致信号线5无法与OLED的阴极33实现连接,进而导致OLED基板所在的OLED显示装置无法正常显示。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种OLED基板及显示装置,用于解决电极引线容易断线的问题,以确保OLED显示装置正常显示。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
本实用新型的第一方面提供了一种OLED基板,包括依次层叠设置的阵列基板、平坦化层和像素界定层;阵列基板的外围布线区域设有信号线,像素界定层的开口区域设有OLED;平坦化层与外围布线区域对应的表面设有第一导电引线,第一导电引线通过设于平坦化层的第一过孔与信号线连接;像素界定层与外围布线区域对应的表面设有电极引线,电极引线与OLED的上电极连接,且电极引线通过设于像素界定层的第二过孔与第一导电引线连接。
与现有技术相比,本实用新型提供的OLED基板具有如下有益效果:
本实用新型提供的OLED基板,在与OLED的上电极连接的电极引线和信号线之间设置第一导电引线,且将第一导电引线设在平坦化层与外围布线区域对应的表面,使得第一导电引线通过设于平坦化层的第一过孔与信号线连接,而电极引线通过设于像素界定层的第二过孔与第一导电引线连接。这样在OLED上电极和信号线之间具有相同膜层的情况下,与OLED上电极和信号线之间只利用穿过过孔的电极引线连接相比,将电极引线和第一导电引线分区域设置在OLED上电极和信号线之间,可以相对减少电极引线所需穿透膜层的层数,也就是相对减小电极引线通过的第二过孔的深度,当在第二过孔中沉积制作电极引线时,能够避免出现电极引线因穿透膜层层数较多而断线的情形;而且,第一导电引线所需穿透膜层的层数,为OLED上电极和信号线之间除去电极引线穿透膜层后剩余膜层的层数,使得第一导电引线所需穿透膜层的层数也较少,能够减小第一导电引线通过的第一过孔的深度,当在第一过孔中沉积制作第一导电引线时,能够避免出现第一导电引线因穿透膜层层数较多而断线的情形。
因此,与现有技术相比,本实用新型提供的OLED基板,在OLED上电极和信号线之间分区域设置电极引线和第一导电引线,易于使得电极引线和第一导电引线可靠成型,而避免其断线,确保OLED的上电极通过电极引线和第一导电引线能够与信号线可靠连接,从而确保OLED基板所在的OLED显示装置能够正常显示。
基于上述OLED基板的技术方案,本实用新型的第二方面提供一种显示装置,所述显示装置包括上述技术方案所提供的OLED基板。
与现有技术相比,本实用新型提供的显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的OLED基板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





