[实用新型]静电卡盘有效
| 申请号: | 201720864105.0 | 申请日: | 2017-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN207074654U | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
| 发明(设计)人: | 刘建 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 | ||
1.一种静电卡盘,包括底座、设置在所述底座上的加热层及设置在所述加热层上的绝缘层,所述加热层的外径小于所述底座的外径和所述绝缘层的外径,其特征在于,还包括环状保护部件,所述环状保护部件可拆卸地环绕设置在所述加热层的外周壁上。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述环状保护部件具有弹性,且在所述底座与所述绝缘层之间处于压缩变形状态,以实现所述加热层与等离子体相隔离。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述环状保护部件在处于未压缩变形状态时,在所述静电卡盘的轴向上的截面形状为矩形、正方形、圆形或者椭圆形。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述截面形状为采用圆角过渡的矩形或者正方形。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘,其特征在于,所述圆角的半径的取值范围在1~3mm。
6.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述截面形状为圆形;
在所述加热层的外周壁、所述底座的上表面和所述绝缘层的下表面之间形成的环形空间在所述静电卡盘的轴向上的高度小于所述截面形状的直径的90%。
7.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述截面形状为矩形或者正方形;
所述环状保护部件的外环面为凹面。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述环状保护部件在径向上的最小厚度大于或者等于所述环状保护部件在径向上的整体厚度的80%。
9.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述凹面包括弧形凹面,或者倾斜的平面,或者曲折面;所述曲折面由沿竖直方向连接的至少两个平面组成,且相邻的两个平面之间形成夹角。
10.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述环状保护件包括环状本体,所述环状本体设置在所述底座与所述绝缘层之间,且环绕在所述加热层的外周壁上,并且所述环状本体在所述底座与所述绝缘层之间处于压缩变形状态;
在所述环状本体的外周壁上形成有至少一个环状延伸部,所述环状延伸部叠置在所述绝缘层的外周壁上,且所述环状延伸部的上端低于所述绝缘层的上表面;和/或所述环状延伸部叠置在所述底座的外周壁上。
11.根据权利要求1至10任一项所述的静电卡盘,其特征在于,所述环状保护件的材料包括全氟橡胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





