[实用新型]一种太阳能电池电极及太阳能电池有效
| 申请号: | 201720825844.9 | 申请日: | 2017-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN206878009U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
| 发明(设计)人: | 龙永灯;郁操;张津燕;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 赵景平,李轩 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池电极及太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,在被满足一定照度条件的光照到,就可输出电压,并在有回路的情况下产生电流。其原理为太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结内建电场的作用下,光生空穴流向p区,光生电子流向n区,接通电路后就产生电流。随着人们对清洁能源的需求越来越大,太阳能电池的市场需求也越来越大。
太阳能电池的光电转换效率是太阳能电池的主要指标之一,为了提升该光电转换效率,除了改进基体材料、结构化基体表面、以及采用钝化工艺等,电极设计也尤为重要。常规的电极主要由主栅线和细栅线组成,如图1所示,为现有技术的太阳能电池电极的一种结构示意图,其中,1为基板、2为细栅线,3为主栅线,细栅线2用来收集电子或空穴并传输给主栅线3,两条主栅线3输出电能和提高组件可靠性,如焊接拉力等,为了提升电子或空穴的收集能力,要求细栅线2分布均匀且密集,为此,现有技术将细栅线2和主栅线3设计成如图1所示的叶脉形。但是,由于两条主栅线3之间的间隔较大,且细栅线2与主栅线3之间的夹角不是90°,导致细栅线2的长度过长,造成容易存在断点,且会增加细栅线2的电阻;此外,两条细栅线2的相接之处不是直线,在网版印刷两条细栅线相接之处时,堆积面积较大,导致加工后塑型较差,即在设计的细栅线2处容易残留导电的遮光材料,导致遮光面增加,会造成太阳能电池的转换效率降低及产品良率降低的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种太阳能电池电极及太阳能电池,以解决现有技术的太阳能电池的转换效率低及产品良率低的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种太阳能电池电极,包括:
至少三条平行且等间隔分布的主栅线,以及分别位于各主栅线两侧且以指定角度与相邻主栅线相连的多条细栅线,每条主栅线一侧的细栅线平行分布,且每条主栅线一侧的细栅线等间隔分布。
优选地,所述指定角度的范围为:30°至60°。
优选地,所述主栅线和所述细栅线的材质为银或铜。
优选地,所述主栅线和所述细栅线为网版银浆印刷的银线
优选地,所述主栅线的宽度为银线500微米至1200微米。
优选地,所述细栅线的宽度为银线20微米至50微米。
优选地,相邻两条细栅线之间的间距为350微米至2150微米。
相应地,本实用新型还提供了一种及太阳能电池,包括数组串联和/或并联的太阳能电池片,所述太阳能电池片包括如上所述的太阳能电池电极。
优选地,所述太阳能电池片包括以下任意一种:
异质结电池片、多晶硅电池片、非晶硅电池片和单晶硅电池片。
优选地,所述异质结电池片为非晶硅/单晶硅异质结电池片。
本实用新型提供的太阳能电池电极及太阳能电池,包括:至少三条平行且等间隔分布的主栅线,以及分别位于各主栅线两侧且以指定角度与相邻主栅线相连的多条细栅线,每条主栅线一侧的细栅线平行分布,且每条主栅线两侧的细栅线呈镜像对称。由于增加了主栅线的数量,使得主栅线之间的间距变小,有效减小了细栅线的长度,降低了细栅线的电阻及出现断点的概率;此外,至少三条平行的主栅线等间距分布,和现有技术相比,新增的主栅线会位于两条细栅线相接之处,在容易残留遮光的导电物质之处设置主栅线可以避免新增大量遮光面积,此外,由于增加了主栅线的数量,因此可以减小各主栅线的宽度以补偿增加主栅线而导致的遮光面积增加,且由于降低了整个电极的电阻,可以有效提升太阳能电池的光电转换效率。
进一步地,本实用新型提供的太阳能电池电极及太阳能电池,所述主栅线和所述细栅线的材质为银或铜,可以降低电极的电阻,提升电池的光电转换效率。
进一步地,本实用新型提供的太阳能电池电极及太阳能电池,所述主栅线和所述细栅线为网版银浆印刷的银线,制备工艺简单且成本较低,便于产业推广。
进一步地,本实用新型提供的太阳能电池电极及太阳能电池,所述主栅线的宽度为银线500微米至1200微米;所述细栅线的宽度为银线20微米至50微米;相邻两条细栅线之间的间距为350微米至2150微米,这样的设计使得本实用新型拥有最优的效果:通过对电极电阻、电极遮光面积、电极的生产良率等综合考虑,使得本实用新型的光电转效率高且生产良率高。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





