[实用新型]扇出型晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

散热层；

位于所述散热层上表面的接合层；

位于所述接合层上表面的芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘，其中，所述接触焊盘所在表面为芯片结构的上表面，且所述芯片结构的上表面远离所述接合层；

位于所述散热层上表面、接合层及芯片结构侧壁表面的塑封层；

位于所述塑封层及芯片结构上表面的重新布线层，所述重新布线层与所述接触焊盘进行电连接；以及

位于所述重新布线层上表面的焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层进行电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述重新布线层与焊球凸块之间的凸块下金属层，所述凸块下金属层与所述重新布线层进行电连接。

3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述散热层包括石墨烯、金属胶或陶瓷中的一种。

4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述散热层的厚度为1～200um。

5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述接合层包括DAF膜、金属胶或胶带中的一种。

6.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述塑封层包括聚酰亚胺层、硅胶层或环氧树脂层中的一种。

7.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层上设有暴露出所述接触焊盘的开口；

位于所述第一绝缘层及接触焊盘上表面的金属层；以及

位于所述第一绝缘层及金属层上表面的第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有暴露出所述金属层的开口。

8.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

位于所述塑封层及芯片结构上表面、由交替的绝缘层和金属层构成的叠层结构，所述叠层结构的顶层为绝缘层，且所述叠层结构的第一层金属层与所述接触焊盘进行电连接，相邻两层金属层通过贯穿相应绝缘层的金属插栓进行电连接，其中，所述交替的次数为不小于2次。

9.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊球凸块包括位于所述重新布线层上表面的金属柱，及位于所述金属柱上表面的焊球。