[实用新型]电磁场辐射探头有效
| 申请号: | 201720713062.6 | 申请日: | 2017-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN206804737U | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
| 发明(设计)人: | 唐枋 | 申请(专利权)人: | 重庆湃芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;H03F1/26;H03F3/68 |
| 代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人: | 赵荣之 |
| 地址: | 400064 重庆市九龙坡区高新区石桥铺石杨路*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电磁场 辐射 探头 | ||
1.一种电磁场辐射探头,其特征在于:包括探头本体、检测电路和低噪声放大电路,所述检测电路对探头本体获取的信号进行检测处理,低噪声放大电路对检波处理后的信号进行放大;所述检测电路包括检波模块和滤波模块,所述检波模块与滤波模块连接所述检波模块具备第一差分输入端,用于差分输入被测电压,所述滤波模块具备输出端,用于输出检波信号。
2.根据权利要求1所述的一种电磁场辐射探头,其特征在于:所述检波模块包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管;所述第一NMOS管的栅极作为所述第一差分输入端的正端,与被测电压的正端相连接,第一NMOS管的漏极与电源相连接,第一NMOS管的源极与第一节点相连接;所述第二NMOS管的栅极作为所述第一差分输入端的负端,与被测电压的负端相连接,第二NMOS管的漏极与所述电源相连接,第二NMOS管的源极与所述第一节点相连接;所述第三NMOS管的漏极与第一节点相连接,第三NMOS管的源极接地,第三NMOS管的栅极与偏置电压端连接,第三NMOS管用于作为电流源。
3.根据权利要求2所述的一种电磁场辐射探头,其特征在于:所述滤波模块包括电阻R5和电容C10,所述电阻R5连接在第一节点与滤波模块的输出端之间;所述电容C10连接在第三NMOS管的源极与滤波模块的输出端之间。
4.根据权利要求1所述的一种电磁场辐射探头,其特征在于:所述低噪声放大电路包括三级放大电路,所述三级放大电路包括串联连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路;所述第三级放大电路中晶体管的漏极与电源正压相连,提供直流电源输入;第三级放大电路中晶体管的源极与第二级放大电路中晶体管的漏极之间是直流相连,第二级放大电路中晶体管的源极与第一级放大电路中晶体管的漏极之间是直流相连,第一级放大电路中晶体管的源极通过电阻和直流地相连;信号先经过第一级放大电路进行第一级放大,再进入第二级放大电路进行第二级放大,再进入第三级放大电路进行第三级放大输出。
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