[实用新型]一种简易的信号锁存电路有效

专利信息
申请号: 201720704286.0 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN206820736U 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 夏志超;陈波 申请(专利权)人: 上海施能电器设备有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司31224 代理人: 吕伴
地址: 201316 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 简易 信号 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及信号锁存电路技术领域,特别涉及到一种简易的信号锁存电路。

背景技术

在电子电路应用环境中,经常需要将一些检测到的或控制后级电路的逻辑电平信号状态锁存起来,待完成相关操作后,再解除该信号的锁存动作。

目前,有很多集成电路可以实现这种锁存功能。但是,这些集成电路一般采用低电压工艺设计,而且需要低压电源供电才能正常工作,限制了它的应用范围;另外,这些集成电路集成度较高,往往集成多个锁存电路,从而使信号锁存电路的整体体积庞大,不适于对空间要求较高的环境,限制了信号锁存电路的使用环境。

然而针对现有技术的不足,研发者有必要研制一种设计合理、结构简单、无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,扩大了信号锁存电路的应用范围,整体体积较小,适用于对空间要求较高的环境的简易的信号锁存电路。

实用新型内容

为解决现有技术存在的问题,本实用新型目的提供了一种设计合理、结构简单、无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,扩大了信号锁存电路的应用范围,整体体积较小,适用于对空间要求较高的环境的简易的信号锁存电路。

为解决以上技术问题,本实用新型采用以下技术方案来实现的:

一种简易的信号锁存电路,其特征在于,包括光耦、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻;

所述光耦包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管;

所述发光二极管的正极与第五电阻的一端相连接,所述第五电阻的另一端与电源电压的正极相连接,所述发光二极管的负极分别与第三电阻的一端和第二三极管的发射极相连接,所述第三电阻的另一端分别与第二电阻的一端和第二三极管的基极相连接,所述第二三极管的集电极分别与第四电阻的一端、第一电阻的一端以及第一三极管的基极相连接,所述第一电阻的另一端、第四电阻的另一端以及第一三极管的发射极均接地,所述第二电阻的另一端与第一三极管的集电极相连接;

所述光敏三极管的集电极与第六电阻的一端相连接,所述第六电阻的另一端与工作电压相连接,所述光敏三极管的发射极接地,在所述光敏三极管与第六电阻的一端之间设有电路的输出端。

在本实用新型的一个优选实施例中,该信号锁存电路还包括第一电容和第二电容,所述第一电容的一端分别与第四电阻的一端、第一三极管的基极以及第二三极管的集电极相连接,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端分别与第二三极管的发射极、第三电阻的一端以及发光二极管的负极相连接,所述第二电容的另一端分别与第二三极管的基极、第三电阻的另一端以及第二电阻的一端相连接。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述第一三极管为NPN型三极管,所述第二三极管为PNP型三极管。

与现有技术相比,本实用新型采用上述结构无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,不但扩大了信号锁存电路的应用范围,并且减小了信号锁存电路整体的体积,适用于对空间要求较高的环境。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。

参照图1所示,图中给出的一种简易的信号锁存电路,包括光耦U1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6,在本实施例中第一三极管Q1为NPN型三极管,第二三极管Q2为PNP型三极管。

光耦U1包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管。

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